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氮化銦

十二月 05, 2023

氮化銦（InN）是一種小能隙的半導體材料，在太陽能電池及其他高速電子學上有潛在的應用[2]。

氮化銦
别名 Indium(III) nitride
识别
CAS号 25617-98-5  Y
PubChem 117560
ChemSpider 105058
SMILES
 
  • [In]#N
InChI
 
  • 1/In.N/rInN/c1-2
InChIKey NWAIGJYBQQYSPW-QCNKTVRGAR
性质
化学式 InN
摩尔质量 128.83 g·mol⁻¹
外观 黑色粉末
密度 6.81 g/cm3
熔点 1100 °C（1373 K）
溶解性（水） 會水解
能隙 0.65 eV
电子迁移率 3200 cm2/(V.s) (300 K)
熱導率 45 W/(m.K) (300 K)
折光度n
D 		2.9
结构
晶体结构 纤维锌矿 (六邊形)
空间群 C46v-P63mc
晶格常数 a = 354.5 pm, c = 570.3 pm [1]
配位几何 四面體
危险性
MSDS External MSDS
欧盟编号 未列出
主要危害 剌激性，會水解產生氨
相关物质
其他阴离子 磷化銦
砷化銦
銻化銦（英语：Indium antimonide）
其他阳离子 氮化硼
氮化鋁
氮化鎵
相关化学品 氮化銦鎵（英语：Indium gallium nitride）
氮化鋁銦鎵
若非注明，所有数据均出自标准状态（25 ℃，100 kPa）下。

依溫度的不同，氮化銦的能階可以到約~0.7 eV[3]（以往認定的值是1.97 eV）。其有效電子質量已由高磁場的測量所確認 ,[4][5]， m*=0.055 m0。氮化銦和氮化鎵的合金為三元体系的氮化銦鎵，其直接能階從紅外線（0.69 eV）延伸到紫外線（3.4 eV）。

目前有關氮化銦的研究是發展氮化物基礎半導體的太陽能電池。利用合金氮化銦鎵（英语：indium gallium nitride），可以對應太陽光的頻譜。氮化銦的能階其波長可以長到1900nm。不過這類太陽電池要商品化，仍有許多困難，利用氮化銦及高含銦的氮化銦鎵製作p型半導體就是挑戰之一。氮化銦和其他氮化物（如 氮化鎵及氮化鋁）的異質外延生長也已證實相當困難。

氮化銦的多晶薄膜有高導電性，在氦的溫度下甚至有超導性。其超導轉態溫度為Tc依其薄膜結構而定，會低於4 K[6][7]。其超導性在強磁場（數個特斯拉）下仍然存在，這和金屬在磁場為 0.03 T時超導性就會下降的特性不同。其超導的特性是因為金屬銦的鍊狀結構[6]或是奈米簇，其中依照金兹堡－朗道方程，較小的尺寸增高了臨界磁場[8]。

相關條目 编辑

参考文献 编辑

  1. ^ Pichugin, I.G., Tiachala, M. Izv. Akad. Nauk SSSR, Neorg. Mater. 14 (1978) 175.
  2. ^ T. D. Veal, C. F. McConville, and W. J. Schaff (Eds), Indium Nitride and Related Alloys (CRC Press, 2009)
  3. ^ V. Yu. Davydov; et al. Absorption and Emission of Hexagonal InN. Evidence of Narrow Fundamental Band Gap (free download pdf). Physica Status Solidi (b). 2002, 229: R1 [2015-10-21]. Bibcode:2002PSSBR.229....1D. doi:10.1002/1521-3951(200202)229:3<r1::aid-pssb99991>3.0.co;2-o. （原始内容 (PDF)于2015-09-24）. 
  4. ^ Goiran, Michel,,; et al. Electron cyclotron effective mass in indium nitride. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2010, 96: 052117. Bibcode:2010ApPhL..96e2117G. doi:10.1063/1.3304169. 
  5. ^ Millot, Marius,; et al. Determination of effective mass in InN by high-field oscillatory magnetoabsorption spectroscopy. Phys. Rev. B. 2011, 83: 125204 [2015-10-21]. Bibcode:2011PhRvB..83l5204M. doi:10.1103/PhysRevB.83.125204. （原始内容于2011-09-27）. 
  6. ^ 6.0 6.1 T. Inushima. Electronic structure of superconducting InN. Sci. Techn. Adv. Mater. (free download pdf). 2006, 7 (S1): S112. Bibcode:2006STAdM...7S.112I. doi:10.1016/j.stam.2006.05.009. 
  7. ^ Tiras, E.; Gunes, M.; Balkan, N.; Airey, R.; Schaff, W. J. Superconductivity in heavily compensated Mg-doped InN. Applied Physics Letters. 2009, 94 (14): 142108. Bibcode:2009ApPhL..94n2108T. doi:10.1063/1.3116120. 
  8. ^ Komissarova, T. A.; Parfeniev, R. V.; Ivanov, S. V. Comment on "Superconductivity in heavily compensated Mg-doped InN" [Appl. Phys. Lett. 94, 142108 (2009)]. Applied Physics Letters. 2009, 95 (8): 086101. Bibcode:2009ApPhL..95h6101K. doi:10.1063/1.3212864. 
  • Indium Nitride (InN). Ioffe Physico-Technical Institute. [2008-06-17]. （原始内容于2011-06-10）. 

十二月 05, 2023
氮化銦, 是一種小能隙的半導體材料, 在太陽能電池及其他高速電子學上有潛在的應用, 别名, indium, nitride识别cas号, 25617, ypubchem, 117560chemspider, 105058smiles, ninchi, rinn, 2inchikey, nwaigjybqqyspw, qcnktvrgar性质化学式, inn摩尔质量, 外观, 黑色粉末密度, cm3熔点, 1100, 1373, 溶解性, 會水解能隙, ev电子迁移率, 3200, 熱導率, 折光度nd, 9结构晶体. 氮化銦 InN 是一種小能隙的半導體材料 在太陽能電池及其他高速電子學上有潛在的應用 2 氮化銦别名 Indium III nitride识别CAS号 25617 98 5 YPubChem 117560ChemSpider 105058SMILES In NInChI 1 In N rInN c1 2InChIKey NWAIGJYBQQYSPW QCNKTVRGAR性质化学式 InN摩尔质量 128 83 g mol 外观 黑色粉末密度 6 81 g cm3熔点 1100 C 1373 K 溶解性 水 會水解能隙 0 65 eV电子迁移率 3200 cm2 V s 300 K 熱導率 45 W m K 300 K 折光度nD 2 9结构晶体结构 纤维锌矿 六邊形 空间群 C46v P63mc晶格常数 a 354 5 pm c 570 3 pm 1 配位几何 四面體危险性MSDS External MSDS欧盟编号 未列出主要危害 剌激性 會水解產生氨相关物质其他阴离子 磷化銦砷化銦銻化銦 英语 Indium antimonide 其他阳离子 氮化硼氮化鋁氮化鎵相关化学品 氮化銦鎵 英语 Indium gallium nitride 氮化鋁銦鎵若非注明 所有数据均出自标准状态 25 100 kPa 下 依溫度的不同 氮化銦的能階可以到約 0 7 eV 3 以往認定的值是1 97 eV 其有效電子質量已由高磁場的測量所確認 4 5 m 0 055 m0 氮化銦和氮化鎵的合金為三元体系的氮化銦鎵 其直接能階從紅外線 0 69 eV 延伸到紫外線 3 4 eV 目前有關氮化銦的研究是發展氮化物基礎半導體的太陽能電池 利用合金氮化銦鎵 英语 indium gallium nitride 可以對應太陽光的頻譜 氮化銦的能階其波長可以長到1900nm 不過這類太陽電池要商品化 仍有許多困難 利用氮化銦及高含銦的氮化銦鎵製作p型半導體就是挑戰之一 氮化銦和其他氮化物 如 氮化鎵及氮化鋁 的異質外延生長也已證實相當困難 氮化銦的多晶薄膜有高導電性 在氦的溫度下甚至有超導性 其超導轉態溫度為Tc依其薄膜結構而定 會低於4 K 6 7 其超導性在強磁場 數個特斯拉 下仍然存在 這和金屬在磁場為 0 03 T時超導性就會下降的特性不同 其超導的特性是因為金屬銦的鍊狀結構 6 或是奈米簇 其中依照金兹堡 朗道方程 較小的尺寸增高了臨界磁場 8 相關條目 编辑氧化銦参考文献 编辑 Pichugin I G Tiachala M Izv Akad Nauk SSSR Neorg Mater 14 1978 175 T D Veal C F McConville and W J Schaff Eds Indium Nitride and Related Alloys CRC Press 2009 V Yu Davydov et al Absorption and Emission of Hexagonal InN Evidence of Narrow Fundamental Band Gap free download pdf Physica Status Solidi b 2002 229 R1 2015 10 21 Bibcode 2002PSSBR 229 1D doi 10 1002 1521 3951 200202 229 3 lt r1 aid pssb99991 gt 3 0 co 2 o 原始内容存档 PDF 于2015 09 24 Goiran Michel et al Electron cyclotron effective mass in indium nitride APPLIED PHYSICS LETTERS 2010 96 052117 Bibcode 2010ApPhL 96e2117G doi 10 1063 1 3304169 Millot Marius et al Determination of effective mass in InN by high field oscillatory magnetoabsorption spectroscopy Phys Rev B 2011 83 125204 2015 10 21 Bibcode 2011PhRvB 83l5204M doi 10 1103 PhysRevB 83 125204 原始内容存档于2011 09 27 6 0 6 1 T Inushima Electronic structure of superconducting InN Sci Techn Adv Mater free download pdf 使用 format 需要含有 url 帮助 2006 7 S1 S112 Bibcode 2006STAdM 7S 112I doi 10 1016 j stam 2006 05 009 Tiras E Gunes M Balkan N Airey R Schaff W J Superconductivity in heavily compensated Mg doped InN Applied Physics Letters 2009 94 14 142108 Bibcode 2009ApPhL 94n2108T doi 10 1063 1 3116120 Komissarova T A Parfeniev R V Ivanov S V Comment on Superconductivity in heavily compensated Mg doped InN Appl Phys Lett 94 142108 2009 Applied Physics Letters 2009 95 8 086101 Bibcode 2009ApPhL 95h6101K doi 10 1063 1 3212864 Indium Nitride InN Ioffe Physico Technical Institute 2008 06 17 原始内容存档于2011 06 10 取自 https zh wikipedia org w index php title 氮化銦 amp oldid 77201228, 维基百科，wiki，书籍，书籍，图书馆，

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