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氧化铟

氧化铟是一种无机化合物化学式为In2O3,是一种兩性氧化物,且为最稳定的氧化物

氧化铟(III)
别名 三氧化二铟
识别
CAS号 1312-43-2  
PubChem 150905
ChemSpider 133007
SMILES
InChI
InChIKey PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYAL
性质
化学式 In2O3
摩尔质量 277.64 g/mol g·mol⁻¹
外观 黄绿色晶体粉末
氣味 无臭
密度 7.179 g/cm3
熔点 1910 °C(2183 K)
溶解性 难溶
能隙 ~3 eV (300 K) eV
结构
晶体结构 Cubic, 空间群 Ia3 No. 206, cI80, a = 1.0117(1) nm, Z = 16[1]
危险性
欧盟分类 未列出
NFPA 704
0
1
0
 
相关物质
其他阴离子 硫化铟
硒化铟
碲化铟
其他阳离子 氧化硼
氧化铝
氧化镓
氧化铊
相关化学品 氢氧化铟
氧化铟(I)
氧化铟(II)
若非注明,所有数据均出自标准状态(25 ℃,100 kPa)下。

制备

块状样品可通过铟(Ⅲ)的氢氧化物硝酸盐、碳酸盐或硫酸盐的热分解来制备[2]。氧化铟的薄膜可以通过在/气中铟靶的溅射沉积来制备。它们可被用作半导体扩散阻挡层英语diffusion barrier(“阻挡金属”),例如可抑制之间的扩散[3]

化学性质

氧化铟在700℃分解为氧化亚铟(一氧化二铟),其于2000℃进一步分解。

淡黄色的氧化铟可溶于酸和碱,但棕红色的相对难溶。[4]在高温下反应,形成氮化铟[5]

In2O3 +2NH3 → 2InN + 3H2O

同样地,氧化铟也能被氢气还原,产生氧化亚铟或金属[6]

In2O3 + 3 H2 → 2 In + 3 H2O
In2O3 + 2 H2 → In2O + 2 H2O

氧化铟和Cs2O在600℃反应,可以得到无色吸湿性的偏铟酸铯(CsInO2[4]K2O和铟可以形成分子式为K5InO4的化合物,其中有四面体结构的InO45−[7]

和一些三价金属氧化物反应,可以形成钙钛矿结构的化合物[8],例如:

In2O3 + Cr2O3 → 2 InCrO3

应用

氧化铟被使用在一些类型的电池,对可见光透明的薄膜红外线反射镜(热镜英语Hot mirror),一些光学涂层,有的抗静电涂料。二氧化锡的组合,氧化铟形式的氧化铟锡(也称为锡掺杂的氧化铟或ITO)用于透明导电涂层的材料。

在半导体中,氧化铟可以作为一种n型半导体,用于集成电路中的电阻器[9]

组织学,氧化铟被用作一些染色剂配方的一部分。

参考文献

  1. ^ Marezio, M. Refinement of the crystal structure of In2O3 at two wavelengths. Acta Crystallographica. 1966, 20 (6): 723–728. ISSN 0365-110X. doi:10.1107/S0365110X66001749. 
  2. ^ Anthony John Downs. Chemistry of aluminium, gallium, indium, and thallium. Springer. 1993. ISBN 0-7514-0103-X. 
  3. ^ Kolawa, E. and Garland, C. and Tran, L. and Nieh, C. W. and Molarius, J. M. and Flick, W. and Nicolet, M.-A. and Wei, J. Indium oxide diffusion barriers for Al/Si metallizations. Applied Physics Letters. 1988, 53 (26): 2644–2646 [2016-09-23]. doi:10.1063/1.100541. (原始内容于2011-07-25). 
  4. ^ 4.0 4.1 无机化学丛书 第二卷 铍 碱土金属 镓分族. 科学出版社. pp 605. 3.12 氧化物、氢氧化物
  5. ^ Egon Wiberg, Arnold Frederick Holleman (2001) Inorganic Chemistry, Elsevier ISBN 0123526515
  6. ^ 曹忠良, 王珍云. 无机化学反应方程式手册. 湖南科学技术出版社. pp 159. In2O3
  7. ^ Lulei, M.; Hoppe, R. Über "Orthoindate" der Alkalimetalle: Zur Kenntnis von K5[InO4]. Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie. 1994, 620 (2): 210–224. ISSN 0044-2313. doi:10.1002/zaac.19946200205. 
  8. ^ Shannon, Robert D. Synthesis of some new perovskites containing indium and thallium. Inorganic Chemistry. 1967, 6 (8): 1474–1478. ISSN 0020-1669. doi:10.1021/ic50054a009. 
  9. ^ . CeramicMaterials.info. [2008-10-29]. (原始内容存档于2008-06-30). 

氧化铟, 提示, 此条目的主题不是, 是一种无机化合物, 化学式为in2o3, 是一种兩性氧化物, 且为铟最稳定的氧化物, 别名, 三氧化二铟识别cas号, 1312, pubchem, 150905chemspider, 133007smiles, inchi, 2inchikey, pjxisjqvuvhsoj, uhfffaoyal性质化学式, in2o3摩尔质量, 外观, 黄绿色晶体粉末氣味, 无臭密度, cm3熔点, 1910, 2183, 溶解性, 难溶能隙, ev结构晶体结构, cubic, 空间群,. 提示 此条目的主题不是氧化铟 I 氧化铟是一种无机化合物 化学式为In2O3 是一种兩性氧化物 且为铟最稳定的氧化物 氧化铟 III 别名 三氧化二铟识别CAS号 1312 43 2 PubChem 150905ChemSpider 133007SMILES O 2 O 2 O 2 In 3 In 3 InChI 1 2In 3O q2 3 3 2InChIKey PJXISJQVUVHSOJ UHFFFAOYAL性质化学式 In2O3摩尔质量 277 64 g mol g mol 外观 黄绿色晶体粉末氣味 无臭密度 7 179 g cm3熔点 1910 C 2183 K 溶解性 水 难溶能隙 3 eV 300 K eV结构晶体结构 Cubic 空间群 Ia3 No 206 cI80 a 1 0117 1 nm Z 16 1 危险性欧盟分类 未列出NFPA 704 0 1 0 相关物质其他阴离子 硫化铟硒化铟碲化铟其他阳离子 氧化硼氧化铝氧化镓氧化铊相关化学品 氢氧化铟氧化铟 I 氧化铟 II 若非注明 所有数据均出自标准状态 25 100 kPa 下 目录 1 制备 2 化学性质 3 应用 4 参考文献制备 编辑块状样品可通过铟 的氢氧化物 硝酸盐 碳酸盐或硫酸盐的热分解来制备 2 氧化铟的薄膜可以通过在氩 氧气中铟靶的溅射沉积来制备 它们可被用作半导体的扩散阻挡层 英语 diffusion barrier 阻挡金属 例如可抑制铝和硅之间的扩散 3 化学性质 编辑氧化铟在700 分解为氧化亚铟 一氧化二铟 其于2000 进一步分解 淡黄色的氧化铟可溶于酸和碱 但棕红色的相对难溶 4 和氨在高温下反应 形成氮化铟 5 In2O3 2NH3 2InN 3H2O同样地 氧化铟也能被氢气还原 产生氧化亚铟或金属铟 6 In2O3 3 H2 2 In 3 H2O In2O3 2 H2 In2O 2 H2O氧化铟和Cs2O在600 反应 可以得到无色吸湿性的偏铟酸铯 CsInO2 4 K2O和铟可以形成分子式为K5InO4的化合物 其中有四面体结构的InO45 7 和一些三价金属氧化物反应 可以形成钙钛矿结构的化合物 8 例如 In2O3 Cr2O3 2 InCrO3应用 编辑氧化铟被使用在一些类型的电池 对可见光透明的薄膜红外线反射镜 热镜 英语 Hot mirror 一些光学涂层 有的抗静电涂料 二氧化锡的组合 氧化铟形式的氧化铟锡 也称为锡掺杂的氧化铟或ITO 用于透明导电涂层的材料 在半导体中 氧化铟可以作为一种n型半导体 用于集成电路中的电阻器 9 在组织学 氧化铟被用作一些染色剂配方的一部分 参考文献 编辑 Marezio M Refinement of the crystal structure of In2O3 at two wavelengths Acta Crystallographica 1966 20 6 723 728 ISSN 0365 110X doi 10 1107 S0365110X66001749 Anthony John Downs Chemistry of aluminium gallium indium and thallium Springer 1993 ISBN 0 7514 0103 X Kolawa E and Garland C and Tran L and Nieh C W and Molarius J M and Flick W and Nicolet M A and Wei J Indium oxide diffusion barriers for Al Si metallizations Applied Physics Letters 1988 53 26 2644 2646 2016 09 23 doi 10 1063 1 100541 原始内容存档于2011 07 25 4 0 4 1 无机化学丛书 第二卷 铍 碱土金属 镓分族 科学出版社 pp 605 3 12 氧化物 氢氧化物 Egon Wiberg Arnold Frederick Holleman 2001 Inorganic Chemistry Elsevier ISBN 0123526515 曹忠良 王珍云 无机化学反应方程式手册 湖南科学技术出版社 pp 159 In2O3 Lulei M Hoppe R Uber Orthoindate der Alkalimetalle Zur Kenntnis von K5 InO4 Zeitschrift fur anorganische und allgemeine Chemie 1994 620 2 210 224 ISSN 0044 2313 doi 10 1002 zaac 19946200205 Shannon Robert D Synthesis of some new perovskites containing indium and thallium Inorganic Chemistry 1967 6 8 1474 1478 ISSN 0020 1669 doi 10 1021 ic50054a009 In2O3 Indium Oxide CeramicMaterials info 2008 10 29 原始内容存档于2008 06 30 取自 https zh wikipedia org w index php title 氧化铟 amp oldid 61613876, 维基百科,wiki,书籍,书籍,图书馆,

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