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电子迁移率

一月 01, 1970

电子迁移率（英語：electron mobility）是固体物理学中用于描述金属或半导体内部电子，在电场作用下移动快慢程度的物理量。在半导体中，另一个类似的物理量称为空穴迁移率（hole mobility）。人们常用载流子迁移率（carrier mobility）来指代半导体内部电子和空穴整体的运动快慢。

外部链接 编辑

  • The minority Carrier Lifetime in silicon wafer （页面存档备份，存于互联网档案馆）
  • semiconductor glossary entry for electron mobility （页面存档备份，存于互联网档案馆）
  • Online lecture- Mobility （页面存档备份，存于互联网档案馆） from an atomistic point of view

一月 01, 1970
电子迁移率, 英語, electron, mobility, 是固体物理学中用于描述金属或半导体内部电子, 在电场作用下移动快慢程度的物理量, 在半导体中, 另一个类似的物理量称为空穴迁移率, hole, mobility, 人们常用载流子迁移率, carrier, mobility, 来指代半导体内部电子和空穴整体的运动快慢, 外部链接, 编辑the, minority, carrier, lifetime, silicon, wafer, 页面存档备份, 存于互联网档案馆, semiconductor, glo. 电子迁移率 英語 electron mobility 是固体物理学中用于描述金属或半导体内部电子 在电场作用下移动快慢程度的物理量 在半导体中 另一个类似的物理量称为空穴迁移率 hole mobility 人们常用载流子迁移率 carrier mobility 来指代半导体内部电子和空穴整体的运动快慢 外部链接 编辑The minority Carrier Lifetime in silicon wafer 页面存档备份 存于互联网档案馆 semiconductor glossary entry for electron mobility 页面存档备份 存于互联网档案馆 Resistivity and Mobility Calculator from the BYU Cleanroom Online lecture Mobility 页面存档备份 存于互联网档案馆 from an atomistic point of view 取自 https zh wikipedia org w index php title 电子迁移率 amp oldid 76413033, 维基百科，wiki，书籍，书籍，图书馆，

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