磷化銦

磷化銦（Indium phosphide，InP）是由磷和銦組成的二元半導體材料，磷化銦和砷化鎵及大部份的三五族半導體相同，都是面心立方（闪锌矿）晶體結構。

磷化銦
别名	Indium(III) phosphide
识别
CAS号	22398-80-7
PubChem	31170
ChemSpider	28914
SMILES	[In]#P
InChI	1/In.P/rInP/c1-2
InChIKey	GPXJNWSHGFTCBW-HIYQQWJCAF
性质
化学式	InP
摩尔质量	145.792 g·mol⁻¹
外观	黑色立方晶體
密度	4.81 g/cm^3（固體時）
熔点	1062 °C（1335 K）
溶解性	微溶於酸^[1]
能隙	1.344(300 K，直接帶隙) eV
电子迁移率	5400 cm^2/(V·s) (300 K)
熱導率	0.68 W/(cm·K) (300 K)
折光度n D	3.1 (紅外線); 3.55 (632.8 nm)^[2]
结构
晶体结构	閃鋅礦結構
晶格常数	a = 5.8687 Å ^[3]
配位几何	四面體
热力学
ΔfHm^⦵298K	-88.7 kJ/mol
S^⦵298K	59.8 J/(mol·K)
热容	45.4 J/(mol·K)^[4]
危险性
MSDS	External MSDS
欧盟编号	未列出
主要危害	有毒，會水解為磷化氢
相关物质
其他阴离子	氮化銦 砷化銦 銻化銦（英语：Indium antimonide）
其他阳离子	磷化鋁 磷化鎵
相关化学品	磷化銦鎵 磷化鋁鎵銦（英语：Aluminium gallium indium phosphide） 砷銻磷化鎵銦（英语：en:Gallium indium arsenide antimonide phosphide）
若非注明，所有数据均出自一般条件（25 ℃，100 kPa）下。

製備

磷化銦可由白磷及碘化銦在400 °C下反應來製備^[5]。

用途

磷化銦因為電子速率較常見的矽半導體及砷化鎵都要高，可用在高功率高頻的電子電路中。磷化銦因為有直接带隙（英语：direct bandgap），適合作像雷射二極體等光電工程元件。磷化銦也用在銦鎵砷（英语：indium gallium arsenide）為基礎的光電元件中的磊晶基板。

化學

在面心立方（闪锌矿）晶體結構的化合物中，磷化銦有最長壽命的光學声子^[6]。

參考資料

1. Template:Citation book
2. Sheng Chao, Tien; Lee, Chung Len; Lei, Tan Fu, The refractive index of InP and its oxide measured by multiple-angle incident ellipsometry, Journal of Materials Science Letters, 1993, 12 (10): 721, doi:10.1007/BF00626698. 
3. Basic Parameters of InP. [2015-09-12]. （原始内容于2015-09-24）. 
4. Template:Citation book
5. Indium Phosphide at HSDB. [2020-09-15]. （原始内容于2016-01-06）. 
6. Bouarissa, Nadir. Phonons and related crystal properties in indium phosphide under pressure. Physica B: Condensed Matter. July 2011, 406 (13): 2583–2587 [22 March 2013]. doi:10.1016/j.physb.2011.03.073. 

外部連結

• Extensive site on the physical properties of indium phosphide （页面存档备份，存于互联网档案馆） (Ioffe institute)
• InP conference series （页面存档备份，存于互联网档案馆） at IEEE
• Indium Phosphide and Indium Gallium Arsenide Help Break 600 Gigahertz Speed Barrier （页面存档备份，存于互联网档案馆） (2005 news)