磊晶（英語：Epitaxy），是指一種用於半導體器件製造過程中，在原有晶片上長出新結晶以製成新半導體層的技術。此技術又稱外延成長（Epitaxial Growth），或指以外延技術成長出的結晶，有時可能也概指以外延技術製作的晶粒。
| 「外延 (晶体)」的各地常用別名 |
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| 中国大陸 | 外延 |
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| 港臺 | 磊晶[1] |
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外延技術可用以製造矽電晶體到CMOS積體電路等各種元件，尤其在製作化合物半導體例如砷化鎵磊晶晶圓時，外延尤其重要。
外延成長技術的種類 - 化學氣相沉積
- 分子束外延技術：在高度真空下在表面沉積新的半導體結晶層的磊晶技術，相關可見真空蒸鍍技術。
- 液相外延或稱液態外延（英語：Liquid Phase Epitaxy, LPE）的磊晶技術
- 固相外延（英語：Solid Phase Epitaxy, SPE）的磊晶技術
參考來源 - 文獻
- Jaeger, Richard C. Film Deposition. Introduction to Microelectronic Fabrication 2nd. Upper Saddle River: Prentice Hall. 2002. ISBN 0-201-44494-1.
- 引用
- ^ Epitaxy. 國家教育研究院. [2016-01-24]. （原始内容于2016-01-31） （中文）. （繁體中文）
外部連結 | | | | 维基共享资源中相關的多媒體資源：1. Semiconductor devices fabrication
2. Semiconductors |
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- epitaxy.net（页面存档备份，存于互联网档案馆）: a central forum for the epitaxy-communities
- Deposition processes（页面存档备份，存于互联网档案馆）
外延, 晶体, 磊晶, 英語, epitaxy, 是指一種用於半導體器件製造過程中, 在原有晶片上長出新結晶以製成新半導體層的技術, 此技術又稱外延成長, epitaxial, growth, 或指以外延技術成長出的結晶, 有時可能也概指以外延技術製作的晶粒, 的各地常用別名中国大陸外延港臺磊晶, 外延技術可用以製造矽電晶體到cmos積體電路等各種元件, 尤其在製作化合物半導體例如砷化鎵磊晶晶圓, 英语, epitaxial, wafer, 外延尤其重要, 外延成長技術的種類, 编辑化學氣相沉積, 分子束外延技術,. 磊晶 英語 Epitaxy 是指一種用於半導體器件製造過程中 在原有晶片上長出新結晶以製成新半導體層的技術 此技術又稱外延成長 Epitaxial Growth 或指以外延技術成長出的結晶 有時可能也概指以外延技術製作的晶粒 外延 晶体 的各地常用別名中国大陸外延港臺磊晶 1 外延技術可用以製造矽電晶體到CMOS積體電路等各種元件 尤其在製作化合物半導體例如砷化鎵磊晶晶圓 英语 Epitaxial wafer 時 外延尤其重要 外延成長技術的種類 编辑化學氣相沉積 分子束外延技術 在高度真空下在表面沉積新的半導體結晶層的磊晶技術 相關可見真空蒸鍍技術 液相外延或稱液態外延 英語 Liquid Phase Epitaxy LPE 的磊晶技術 固相外延 英語 Solid Phase Epitaxy SPE 的磊晶技術參考來源 编辑文獻Jaeger Richard C Film Deposition Introduction to Microelectronic Fabrication 2nd Upper Saddle River Prentice Hall 2002 ISBN 0 201 44494 1 引用 Epitaxy 國家教育研究院 2016 01 24 原始内容存档于2016 01 31 中文 繁體中文 外部連結 编辑 维基共享资源中相關的多媒體資源 1 Semiconductor devices fabrication2 Semiconductorsepitaxy net 页面存档备份 存于互联网档案馆 a central forum for the epitaxy communities Deposition processes 页面存档备份 存于互联网档案馆 这是一篇小作品 你可以通过编辑或修订扩充其内容 查论编 取自 https zh wikipedia org w index php title 外延 晶体 amp oldid 67435253, 维基百科，wiki，书籍，书籍，图书馆，
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