氮化鋁(Aluminum Nitride，AlN)是鋁的氮化物。纖鋅礦狀態的氮化鋁(w-AlN)是一種寬帶隙(Wide-bandgap Semiconductor)的半導體材料(6.2 eV)。故也是可應用於深紫外線光電子學的半導體物料。
歷史及特性 编辑
氮化鋁于1877年首次合成。至1980年代，因氮化鋁是一種陶瓷絕緣體(多晶體物料為 70-210 W‧m−1‧K−1，而單晶體更可高達 275 W‧m−1‧K−1 )，使氮化鋁有較高的傳熱能力，至使氮化鋁被大量應用于微電子學。与氧化鈹不同的是氮化鋁無毒。氮化鋁用金屬處理，能取代礬土及氧化鈹用於大量電子儀器。氮化鋁可通過氧化鋁和碳的還原作用或直接氮化金屬鋁来制备。氮化鋁是一種以共價鍵相連的物質，它有六角晶體結構，與硫化鋅、纖維鋅礦同形。此結構的空間組為P63mc。要以熱壓及銲接式才可製造出工業級的物料。物質在惰性的高溫環境中非常穩定。在空氣中，溫度高于700℃時，物質表面會發生氧化作用。在室溫下，物質表面仍能探測到5-10納米厚的氧化物薄膜。直至1370℃，氧化物薄膜仍可保護物質。但當溫度高于1370℃時，便會發生大量氧化作用。直至980℃，氮化鋁在氫氣及二氧化碳中仍相當穩定。礦物酸通過侵襲粒狀物質的界限使它慢慢溶解，而強鹼則通過侵襲粒狀氮化鋁使它溶解。物質在水中會慢慢水解。氮化鋁可以抵抗大部分融解的鹽的侵襲，包括氯化物及冰晶石〔即六氟鋁酸鈉〕。
應用 编辑
有報告指現今大部分研究都在開發一種以半導體（氮化鎵或合金鋁氮化鎵）為基础且運行於紫外線的發光二極管，而光的波長為250納米。在2006年5月有報告指一個無效率的二極管可發出波長為210納米的光波[1]。以真空紫外線反射率量出單一的氮化鋁晶體上有6.2eV的能隙。理論上，能隙允許一些波長為大約200納米的波通過。但在商業上實行時，需克服不少困難。氮化鋁應用於光電工程，包括在光學儲存介面及電子基質作誘電層，在高的導熱性下作晶片載體，以及作軍事用途。
由于氮化鋁壓電效應的特性，氮化鋁晶體的外延性伸展也用於表面聲學波的探測器。而探測器則會放置於矽晶圓上。只有非常少的地方能可靠地製造這些細的薄膜。
參見 编辑
參考資料 编辑
外部連結 编辑
學術 编辑
- Ioffe data archive (羅福資料檔案館) （页面存档备份，存于互联网档案馆）
- Electronic Structure of AlN (氮化鋁的電子結構) （页面存档备份，存于互联网档案馆）
- MSDS (University of Oxford) 〔物質安全資料表 (牛津大學)〕 （页面存档备份，存于互联网档案馆）
- Chemistry : Periodic Table : aluminium : compound data 〔aluminium (III) nitride〕
化學：週期表：鋁：化合物數據 〔氮化鋁(Ⅲ)〕 （页面存档备份，存于互联网档案馆）
氮化鋁, aluminum, nitride, 是鋁的氮化物, 纖鋅礦狀態的, 是一種寬帶隙, wide, bandgap, semiconductor, 的半導體材料, 故也是可應用於深紫外線光電子學的半導體物料, 氮化铝, 英文名, aluminium, nitride, 别名, 氮化铝, 识别, cas号, 24304, pubchem, 90455, chemspider, 81668, smiles, inchi, raln, inchikey, pigfyzpcrlyglf, pxkyixajah, e. 氮化鋁 Aluminum Nitride AlN 是鋁的氮化物 纖鋅礦狀態的氮化鋁 w AlN 是一種寬帶隙 Wide bandgap Semiconductor 的半導體材料 6 2 eV 故也是可應用於深紫外線光電子學的半導體物料 氮化铝 1 2 英文名 Aluminium nitride 别名 氮化铝 识别 CAS号 24304 00 5 Y PubChem 90455 ChemSpider 81668 SMILES Al N InChI 1 Al N rAlN c1 2 InChIKey PIGFYZPCRLYGLF PXKYIXAJAH EINECS 246 140 8 ChEBI 50884 RTECS BD1055000 性质 化学式 AlN 摩尔质量 40 989 2 g mol 外观 蓝白色晶体 2 密度 3 255 g cm3 2 熔点 3000 C 2 沸点 2517 C 溶解性 水 与水反应 2 熱導率 140 180 W m 1 K 1 结构 晶体结构 六方 2 热力学 热容 740 J Kg 1 K 1 若非注明 所有数据均出自标准状态 25 100 kPa 下 目录 1 歷史及特性 2 應用 3 參見 4 參考資料 5 外部連結 5 1 學術歷史及特性 编辑氮化鋁于1877年首次合成 至1980年代 因氮化鋁是一種陶瓷絕緣體 多晶體物料為 70 210 W m 1 K 1 而單晶體更可高達 275 W m 1 K 1 使氮化鋁有較高的傳熱能力 至使氮化鋁被大量應用于微電子學 与氧化鈹不同的是氮化鋁無毒 氮化鋁用金屬處理 能取代礬土及氧化鈹用於大量電子儀器 氮化鋁可通過氧化鋁和碳的還原作用或直接氮化金屬鋁来制备 氮化鋁是一種以共價鍵相連的物質 它有六角晶體結構 與硫化鋅 纖維鋅礦同形 此結構的空間組為P63mc 要以熱壓及銲接式才可製造出工業級的物料 物質在惰性的高溫環境中非常穩定 在空氣中 溫度高于700 時 物質表面會發生氧化作用 在室溫下 物質表面仍能探測到5 10納米厚的氧化物薄膜 直至1370 氧化物薄膜仍可保護物質 但當溫度高于1370 時 便會發生大量氧化作用 直至980 氮化鋁在氫氣及二氧化碳中仍相當穩定 礦物酸通過侵襲粒狀物質的界限使它慢慢溶解 而強鹼則通過侵襲粒狀氮化鋁使它溶解 物質在水中會慢慢水解 氮化鋁可以抵抗大部分融解的鹽的侵襲 包括氯化物及冰晶石 即六氟鋁酸鈉 應用 编辑有報告指現今大部分研究都在開發一種以半導體 氮化鎵或合金鋁氮化鎵 為基础且運行於紫外線的發光二極管 而光的波長為250納米 在2006年5月有報告指一個無效率的二極管可發出波長為210納米的光波 1 以真空紫外線反射率量出單一的氮化鋁晶體上有6 2eV的能隙 理論上 能隙允許一些波長為大約200納米的波通過 但在商業上實行時 需克服不少困難 氮化鋁應用於光電工程 包括在光學儲存介面及電子基質作誘電層 在高的導熱性下作晶片載體 以及作軍事用途 由于氮化鋁壓電效應的特性 氮化鋁晶體的外延性伸展也用於表面聲學波的探測器 而探測器則會放置於矽晶圓上 只有非常少的地方能可靠地製造這些細的薄膜 參見 编辑氮化硼 磷化鋁 氮化銦參考資料 编辑 Aluminum Nitride Accuratus 2008 07 17 原始内容存档于2011 08 07 2 0 2 1 2 2 2 3 2 4 2 5 2 6 CRC Handbook of Chemistry and Physics 97th Edition 2016 06 24 4 45 ISBN 1 4987 5428 7 英语 使用 accessdate 需要含有 url 帮助 外部連結 编辑氮化铝AIN 页面存档备份 存于互联网档案馆 學術 编辑 Ioffe data archive 羅福資料檔案館 页面存档备份 存于互联网档案馆 Electronic Structure of AlN 氮化鋁的電子結構 页面存档备份 存于互联网档案馆 MSDS University of Oxford 物質安全資料表 牛津大學 页面存档备份 存于互联网档案馆 Chemistry Periodic Table aluminium compound data aluminium III nitride 化學 週期表 鋁 化合物數據 氮化鋁 页面存档备份 存于互联网档案馆 取自 https zh wikipedia org w index php title 氮化鋁 amp oldid 82245329, 维基百科，wiki，书籍，书籍，图书馆，
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