参考文献 - ^ . American Elements. [June 20, 2019]. （原始内容存档于2021-05-07）.
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- ^ Liu, T. S.; Peretti, E. A. Trans AIME, vol. 191, p. 791 (1951).
锑化铟, insb, 是一种由铟, 和锑, 元素组成的金屬間化合物, 可由铟和锑兩種單質高溫反應製得, 是一种半导体材料, 廣泛應用於紅外探測器, 英语, infrared, detector, 製備, 紅外線導引导弹制导和红外天文学等領域, 於1951年首次被發現, 识别cas号, 1312, pubchem, 3468413chemspider, 2709929smiles, un编号, 1549einecs, 3rtecs, nl1105000性质化学式, insb摩尔质量, 1外观, 暗灰色晶体密度, 3熔. 锑化铟 InSb 是一种由铟 In 和锑 Sb 元素组成的金屬間化合物 可由铟和锑兩種單質高溫反應製得 锑化铟是一种半导体材料 廣泛應用於紅外探測器 英语 Infrared detector 製備 2 紅外線導引导弹制导和红外天文学等領域 锑化铟於1951年首次被發現 3 锑化铟识别CAS号 1312 41 0 PubChem 3468413ChemSpider 2709929SMILES In Sb UN编号 1549EINECS 215 192 3RTECS NL1105000性质化学式 InSb摩尔质量 236 58 g mol 1外观 暗灰色晶体密度 5 775 g cm 3熔点 527 C 800 K 能隙 0 17 eV eV电子迁移率 7 7 mC s g 1 at 27 C 熱導率 180 mW K 1 cm 1 at 27 C 折光度nD 4 0结构晶体结构 立方晶系空间群 T2d F 43m配位几何 四面體危险性GHS危险性符号 1 GHS提示词 WARNINGH 术语 H302 H332 H411P 术语 P273相关物质其他阴离子 氮化銦磷化銦砷化铟若非注明 所有数据均出自一般条件 25 100 kPa 下 参考文献 编辑 Indium Antimonde American Elements 英语 American Elements June 20 2019 原始内容存档于2021 05 07 半导体材料技术 张玉龙等主编 杭州 浙江科学技术出版社 2010 第150页 原始内容存档于2021 04 18 Liu T S Peretti E A Trans AIME vol 191 p 791 1951 取自 https zh wikipedia org w index php title 锑化铟 amp oldid 72923127, 维基百科，wiki，书籍，书籍，图书馆，
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