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45纳米制程, 是半导体制造制程的一个水平, 自2007年后期, 松下電器和英特尔开始大量制造45纳米的芯片产品, 芯片制造厂商使用high, k材料来填充栅极, 目的是为了减少漏电, 至2007年, ibm和英特尔宣布他们采用了金属栅极解决方案, 2020年, 華為擬在上海建設不使用美國技術的晶片工廠, 預期工廠將從低端45納米晶片做起, 具有的产品, 编辑英特爾core, 英特尔core, 英特爾nehalem處理器, xenon, 用于xbox, model, espresso, 富士通生產的sparc64,. 45纳米制程是半导体制造制程的一个水平 自2007年后期 松下電器和英特尔开始大量制造45纳米的芯片产品 1 芯片制造厂商使用High k材料来填充栅极 目的是为了减少漏电 至2007年 IBM和英特尔宣布他们采用了金属栅极解决方案 2020年 華為擬在上海建設不使用美國技術的晶片工廠 預期工廠將從低端45納米晶片做起 具有45纳米制程的产品 编辑英特爾Core 2 英特尔Core i7 英特爾Nehalem處理器 Xenon 用于Xbox 360 S model Wii U Espresso IBM CPU 富士通生產的SPARC64 VIIIfx CPU 用於與理化學研究所共同開發的超級電腦 京 参考文献 编辑 IEEE Spectrum The High k Solution 2016 11 05 原始内容存档于2007 10 26 先前65纳米制程 半导体器件制造制程 其後32纳米制程 取自 https zh wikipedia org w index php title 45纳米制程 amp oldid 72591804, 维基百科，wiki，书籍，书籍，图书馆，