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硒化亚锡

硒化亚锡,又称一硒化锡,是一种无机化合物,化学式为SnSe。它是窄带隙(IV-VI)半导体,人们对其在低成本光伏器件和存储器开关器件的应用有着相当大的兴趣。[2]硒化亚锡是典型的层状金属硫属化物[3]第16族阴离子(Se2-)和正电性元素阳离子(Sn2+)以层状结构排列。

硒化亚锡
别名 硒化锡(II)、一硒化锡
识别
CAS号 1315-06-6  N
性质
化学式 SnSe
摩尔质量 197.67 g·mol⁻¹
外观 铁灰色粉末
氣味 无味
密度 6.179 g/cm3
熔点 861 °C(1134 K)
溶解性 难溶
能隙 0.9 eV (indirect), 1.3 eV (direct)[1] eV
结构
晶体结构 正交晶系oP8[1]
空间群 Pnma, No. 62[1]
危险性
警示术语 R:R23/25, R33, R50/53
安全术语 S:S1/2, S20/21, S28, S45, S60, S61
欧盟分类 有毒(T)
对环境有害(N)
相关物质
其他阴离子 氧化亚锡
硫化亚锡
碲化亚锡
其他阳离子 一硒化碳
一硒化硅
一硒化锗
硒化铅
若非注明,所有数据均出自标准状态(25 ℃,100 kPa)下。

硒化亚锡有着低导热性和合适的导电性,为用于热电材料提供了可能性。[4]在2014年,西北大学的一个团队在热电材料效率方面创造了世界纪录。[5]

参考文献 编辑

  1. ^ 1.0 1.1 1.2 Carter, Robin; Suyetin, Mikhail; Lister, Samantha; Dyson, M. Adam; Trewhitt, Harrison; Goel, Sanam; Liu, Zheng; Suenaga, Kazu; Giusca, Cristina; Kashtiban, Reza J.; Hutchison, John L.; Dore, John C.; Bell, Gavin R.; Bichoutskaia, Elena; Sloan, Jeremy (2014). "Band gap expansion, shear inversion phase change behaviour and low-voltage induced crystal oscillation in low-dimensional tin selenide crystals". Dalton Trans. 43 (20): 7391. doi:10.1039/C4DT00185K. PMID 24637546.
  2. ^ Tin(II) selenide (页面存档备份,存于互联网档案馆). sigmaaldrich.com
  3. ^ Zhang, Chunli; Yin, Huanhuan; Han, Min; Dai, Zhihui; Pang, Huan; Zheng, Yulin; Lan, Ya-Qian; Bao, Jianchun; Zhu, Jianmin. Two-Dimensional Tin Selenide Nanostructures for Flexible All-Solid-State Supercapacitors. ACS Nano. 2014, 8 (4): 3761–70. PMID 24601530. doi:10.1021/nn5004315. 
  4. ^ Northwestern University. "Surprising material could play huge role in saving energy: Tin selenide is best at converting waste heat to electricity." (页面存档备份,存于互联网档案馆) ScienceDaily, 17 April 2014.
  5. ^ Zhao, L. D.; Lo, S. H.; Zhang, Y; Sun, H; Tan, G; Uher, C; Wolverton, C; Dravid, V. P.; Kanatzidis, M. G. Ultralow thermal conductivity and high thermoelectric figure of merit in Sn Se crystals. Nature. 2014, 508 (7496): 373–7. PMID 24740068. doi:10.1038/nature13184. 

硒化亚锡, 又称一硒化锡, 是一种无机化合物, 化学式为snse, 它是窄带隙, 半导体, 人们对其在低成本光伏器件和存储器开关器件的应用有着相当大的兴趣, 是典型的层状金属硫属化物, 即第16族阴离子, 和正电性元素阳离子, 以层状结构排列, 别名, 硒化锡, 一硒化锡识别cas号, 1315, n性质化学式, snse摩尔质量, 外观, 铁灰色粉末氣味, 无味密度, cm3熔点, 1134, 溶解性, 难溶能隙, indirect, direct, ev结构晶体结构, 正交晶系, 空间群, pnma, 危险性警. 硒化亚锡 又称一硒化锡 是一种无机化合物 化学式为SnSe 它是窄带隙 IV VI 半导体 人们对其在低成本光伏器件和存储器开关器件的应用有着相当大的兴趣 2 硒化亚锡是典型的层状金属硫属化物 3 即第16族阴离子 Se2 和正电性元素阳离子 Sn2 以层状结构排列 硒化亚锡别名 硒化锡 II 一硒化锡识别CAS号 1315 06 6 N性质化学式 SnSe摩尔质量 197 67 g mol 外观 铁灰色粉末氣味 无味密度 6 179 g cm3熔点 861 C 1134 K 溶解性 水 难溶能隙 0 9 eV indirect 1 3 eV direct 1 eV结构晶体结构 正交晶系 oP8 1 空间群 Pnma No 62 1 危险性警示术语 R R23 25 R33 R50 53安全术语 S S1 2 S20 21 S28 S45 S60 S61欧盟分类 有毒 T 对环境有害 N 相关物质其他阴离子 氧化亚锡硫化亚锡碲化亚锡其他阳离子 一硒化碳一硒化硅一硒化锗硒化铅若非注明 所有数据均出自标准状态 25 100 kPa 下 硒化亚锡有着低导热性和合适的导电性 为用于热电材料提供了可能性 4 在2014年 西北大学的一个团队在热电材料效率方面创造了世界纪录 5 参考文献 编辑 1 0 1 1 1 2 Carter Robin Suyetin Mikhail Lister Samantha Dyson M Adam Trewhitt Harrison Goel Sanam Liu Zheng Suenaga Kazu Giusca Cristina Kashtiban Reza J Hutchison John L Dore John C Bell Gavin R Bichoutskaia Elena Sloan Jeremy 2014 Band gap expansion shear inversion phase change behaviour and low voltage induced crystal oscillation in low dimensional tin selenide crystals Dalton Trans 43 20 7391 doi 10 1039 C4DT00185K PMID 24637546 Tin II selenide 页面存档备份 存于互联网档案馆 sigmaaldrich com Zhang Chunli Yin Huanhuan Han Min Dai Zhihui Pang Huan Zheng Yulin Lan Ya Qian Bao Jianchun Zhu Jianmin Two Dimensional Tin Selenide Nanostructures for Flexible All Solid State Supercapacitors ACS Nano 2014 8 4 3761 70 PMID 24601530 doi 10 1021 nn5004315 Northwestern University Surprising material could play huge role in saving energy Tin selenide is best at converting waste heat to electricity 页面存档备份 存于互联网档案馆 ScienceDaily 17 April 2014 Zhao L D Lo S H Zhang Y Sun H Tan G Uher C Wolverton C Dravid V P Kanatzidis M G Ultralow thermal conductivity and high thermoelectric figure of merit in Sn Se crystals Nature 2014 508 7496 373 7 PMID 24740068 doi 10 1038 nature13184 取自 https zh wikipedia org w index php title 硒化亚锡 amp oldid 71613143, 维基百科,wiki,书籍,书籍,图书馆,

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