^R. Eymard and A. Otto; et al. Optical and electron-energy-loss spectroscopy of GeS, GeSe, SnS, and SnSe single crystals. Physical Review B. 977. doi:10.1103/PhysRevB.16.1616.
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^H. Wiedemeier; et al. Crystal growth and transport rates of GeSe and GeTe in micro-gravity environment. Journal of Crystal Growth. 1975, 31: 36. doi:10.1016/0022-0248(75)90107-4.
九月 17, 2023
一硒化锗, 是一种无机化合物, 化学式为gese, 它是一种黑色晶体, 为正交晶系, 错位的nacl构型, c的温度下, 硒化锗的晶体结构会转变成, nacl, 的立方晶系, iupac名germanium, selenide别名, 硒化锗, 硒化亚锗识别cas号, 12065, pubchem, 12049114smiles, 性质化学式, gese摩尔质量, 外观, 黑色固体密度, cm3熔点, 分解, 能隙, indirect, ev折光度nd, 5结构晶体结构, 正交晶系空间群, pnma相关物质, 其他阴. 一硒化锗是一种无机化合物 化学式为GeSe 它是一种黑色晶体 为正交晶系 错位的NaCl构型 在 650 C的温度下 硒化锗的晶体结构会转变成 NaCl 的立方晶系 3 一硒化锗IUPAC名Germanium selenide别名 硒化锗 II 硒化亚锗识别CAS号 12065 10 0 PubChem 12049114SMILES Ge Se 性质化学式 GeSe摩尔质量 151 57 g mol g mol 外观 黑色固体密度 5 56 g cm3熔点 667 C 940 K 分解 能隙 1 07 eV indirect 1 eV折光度nD 2 5结构晶体结构 正交晶系空间群 Pnma相关物质 2 其他阴离子 一硫化锗 一碲化锗其他阳离子 硒化铅若非注明 所有数据均出自标准状态 25 100 kPa 下 为了生长GeSe晶体 GeSe粉末会在密封安瓿瓶的热端蒸发 并在冷端冷凝 通常硒化锗的晶体很小 并且显示出不规则生长的迹象 这主要是由气态介质中的对流运动引起的 但是 在天空实验室计划上 零重力和对流减少的条件下生长的GeSe会比在地球生长的硒化锗晶体大大约10倍 并且没有肉眼可见的缺陷 4 5 参考资料 编辑 R Eymard and A Otto et al Optical and electron energy loss spectroscopy of GeS GeSe SnS and SnSe single crystals Physical Review B 977 doi 10 1103 PhysRevB 16 1616 nbsp GeSe at webelements Wiedemeier H Siemers P A The Thermal Expansion and High Temperature Transformation of GeSe Zeitschrift fur anorganische und allgemeine Chemie 1975 411 90 96 doi 10 1002 zaac 19754110110 SP 400 Skylab Our First Space Station NASA 2009 06 06 原始内容存档于2021 06 14 H Wiedemeier et al Crystal growth and transport rates of GeSe and GeTe in micro gravity environment Journal of Crystal Growth 1975 31 36 doi 10 1016 0022 0248 75 90107 4 取自 https zh wikipedia org w index php title 一硒化锗 amp oldid 71716844, 维基百科，wiki，书籍，书籍，图书馆，
