硒化铅 是铅 的硒化物 ,化学式为PbSe,它是一种半导体材料 ,是具有NaCl 结构的立方晶体 。它的直接带隙 在室温下为0.27 eV[注1] 。[2]
硒化铅 英文名 Lead selenide 识别 CAS号 12069-00-0 PubChem 61550 SMILES 性质 化学式 PbSe 摩尔质量 286.16 g/mol g·mol⁻¹ 密度 8.1 g/cm3 熔点 1078 °C(1351 K) 溶解性 (水 ) 难溶 结构 晶体结构 Halite (cubic), cF8 空间群 Fm3 m, No. 225 晶格常数 a = 6.12 Angstroms [1] 配位几何 Octahedral (Pb2+ ) Octahedral (Se2− ) 危险性 警示术语 R:R61 , R20/22 , R23/25 , R33 , R62 , R50/53 安全术语 S:S1/2 , S20/21 , S28 , S53 , S45 , S60 , S61 欧盟分类 Repr. Cat. 1/3 Toxic (T ) Harmful (Xn ) Dangerous for the environment (N ) 相关物质 其他阴离子 一氧化铅 硫化铅 碲化铅 其他阳离子 一硒化碳 一硒化硅一硒化锗 硒化亚锡 若非注明,所有数据均出自标准状态(25 ℃,100 kPa) 下。
制备 编辑 注释 编辑 注1. 需要注意一些文献会错误地将PbSe和其它IV–VI当作间接带隙半导体材料。[4]
参考文献 编辑 ^ Lead selenide (PbSe) crystal structure, lattice parameters, thermal expansion. Landolt-Börnstein - Group III Condensed Matter: 1–4. [2017-10-24 ] . doi:10.1007/10681727_903 . (原始内容于2016-09-16). ^ Ekuma, C. E.; Singh, D. J.; Moreno, J.; Jarrell, M. Optical properties of PbTe and PbSe. Physical Review B. 2012, 85 (8). Bibcode:2012PhRvB..85h5205E . doi:10.1103/PhysRevB.85.085205 . ^ 姚官生, 司俊杰, 陈凤金. 化学沉淀法制备硒化铅薄膜[J]. 低温与超导, 2009, 37(9):73-76. ^ Kittel, Charles. Introduction to Solid State Physics 6th. New York: Wiley & Sons. 1986. ISBN 978-0-471-87474-4 .
硒化铅, 是铅的硒化物, 化学式为pbse, 它是一种半导体材料, 是具有nacl结构的立方晶体, 它的直接带隙在室温下为0, 注1, 英文名, lead, selenide识别cas号, 12069, pubchem, 61550smiles, 性质化学式, pbse摩尔质量, 密度, cm3熔点, 1078, 1351, 溶解性, 难溶结构晶体结构, halite, cubic, cf8空间群, fm3m, 225晶格常数, angstroms, 配位几何, octahedral, octahedral, 危险. 硒化铅是铅的硒化物 化学式为PbSe 它是一种半导体材料 是具有NaCl结构的立方晶体 它的直接带隙在室温下为0 27 eV 注1 2 硒化铅英文名 Lead selenide识别CAS号 12069 00 0 PubChem 61550SMILES Pb 2 Se 2 性质化学式 PbSe摩尔质量 286 16 g mol g mol 密度 8 1 g cm3熔点 1078 C 1351 K 溶解性 水 难溶结构晶体结构 Halite cubic cF8空间群 Fm3m No 225晶格常数 a 6 12 Angstroms 1 配位几何 Octahedral Pb2 Octahedral Se2 危险性警示术语 R R61 R20 22 R23 25 R33 R62 R50 53安全术语 S S1 2 S20 21 S28 S53 S45 S60 S61欧盟分类 Repr Cat 1 3Toxic T Harmful Xn Dangerous for the environment N 相关物质其他阴离子 一氧化铅硫化铅碲化铅其他阳离子 一硒化碳一硒化硅一硒化锗硒化亚锡若非注明 所有数据均出自标准状态 25 100 kPa 下 制备 编辑硒化铅可由硒脲和乙酸铅在联氨 N2H4 或三碘化钾 KI3 的存在下反应得到 3 注释 编辑注1 需要注意一些文献会错误地将PbSe和其它IV VI当作间接带隙半导体材料 4 参考文献 编辑 Lead selenide PbSe crystal structure lattice parameters thermal expansion Landolt Bornstein Group III Condensed Matter 1 4 2017 10 24 doi 10 1007 10681727 903 原始内容存档于2016 09 16 Ekuma C E Singh D J Moreno J Jarrell M Optical properties of PbTe and PbSe Physical Review B 2012 85 8 Bibcode 2012PhRvB 85h5205E doi 10 1103 PhysRevB 85 085205 姚官生 司俊杰 陈凤金 化学沉淀法制备硒化铅薄膜 J 低温与超导 2009 37 9 73 76 Kittel Charles Introduction to Solid State Physics 6th New York Wiley amp Sons 1986 ISBN 978 0 471 87474 4 取自 https zh wikipedia org w index php title 硒化铅 amp oldid 72048555, 维基百科,wiki ,书籍,书籍,图书馆,
文章 ,阅读,下载,免费,免费下载,mp3,视频,mp4,3gp, jpg,jpeg,gif,png,图片,音乐,歌曲,电影,书籍,游戏,游戏。