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一碲化锗, 是一种无机化合物, 化学式为gete, 它是一种半金属导体, 具有铁电性质, 别名, 碲化锗, 识别cas号, 12025, pubchem, 16213264chemspider, 74888smiles, inchi, gete2, 3inchikey, gpmbecjipqbcki, uhfffaoyau性质化学式, gete摩尔质量, 外观, 固体密度, cm3熔点, 能隙, ev折光度nd, 5结构晶体结构, 菱方, hr6空间群, 160晶格常数, 1719, Å相关物质其他阴离子, 一氧化. 一碲化锗是一种无机化合物 化学式为GeTe 它是一种半金属导体 具有铁电性质 2 一碲化锗别名 碲化锗 II 识别CAS号 12025 39 7 PubChem 16213264ChemSpider 74888SMILES Te Ge InChI 1 GeTe2 c2 1 3InChIKey GPMBECJIPQBCKI UHFFFAOYAU性质化学式 GeTe摩尔质量 200 21 g mol 外观 固体密度 6 14 g cm3熔点 725 C 998 K 能隙 0 6 eV 1 eV折光度nD 5结构晶体结构 菱方 hR6空间群 R3m No 160晶格常数 a 4 1719 A c 10 710 A相关物质其他阴离子 一氧化锗一硫化锗一硒化锗若非注明 所有数据均出自标准状态 25 100 kPa 下 它主要存在三种晶型 室温的a型 菱方 和g型 正交 以及高温的b型 立方 岩盐型 其中a相是纯GeTe在铁电居里温度670 K下最常见的相 3 4 掺杂的一碲化锗是低温超导体 5 参考文献 编辑 R Tsu et al Optical and Electrical Properties and Band Structure of GeTe and SnTe Phys Rev 1968 172 3 779 788 Bibcode 1968PhRv 172 779T doi 10 1103 PhysRev 172 779 A I Lebedev I A Sluchinskaya V N Demin I H Munro Influence of Se Pb and Mn impurities on the ferroelectric phase transition in GeTe studied by EXAFS Phase Transitions 1997 60 2 67 2021 02 15 doi 10 1080 01411599708220051 原始内容存档于2016 03 03 E I Givargizov A M Mel nikova Growth of Crystals Birkhauser 2002 12 ISBN 0 306 18121 5 Pawley G Cochran W Cowley R Dolling G Diatomic Ferroelectrics Physical Review Letters 1966 17 14 753 Bibcode 1966PhRvL 17 753P doi 10 1103 PhysRevLett 17 753 Hein R Gibson J Mazelsky R Miller R Hulm J Superconductivity in Germanium Telluride Physical Review Letters 1964 12 12 320 Bibcode 1964PhRvL 12 320H doi 10 1103 PhysRevLett 12 320 取自 https zh wikipedia org w index php title 一碲化锗 amp oldid 71716861, 维基百科，wiki，书籍，书籍，图书馆，
