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芯片制程技术节点

十月 28, 2023

自1960年代中期芯片商业化量产以来，芯片制程技术也如影随形的伴随着发展了大约30余代：其中每代又包含几个节点等级，大致可以分为：

代数 技术节点 推出时间 产品样例
1 50 微米[1][2][3][4] 1960年代初期[1][2][3][5] 仙童公司 µLogic (Micrologic)[1][2][3][5]
2 16/20 微米[1][2][3][6] 1960年代中期至末期[1][2][3] RCA CD4000 series[1][2][3][6]
3 10/12微米[1][2][3][7] 1960年代末期至1970年代初期[1][2][3] 英特尔 Intel 4004[1][2][3][7]
4 7/8微米[1][2][3] 1970年代初期[1][2][3] 英特尔 Intel 1103（英语：Intel 1103）[1][2][3]
5 5/6微米[1][2][3] 1970年代初期至中期[1][2][3] 英特尔 Intel 8080[1][2][3]
6 3/3.5微米 1970年代末期 英特尔 Intel 8085
7 2/2.5微米[8] 1980年代初期[8] 贝尔实验室 BELLMAC-8 (WE212)（英语：BELLMAC-8）[8]
8 1.3/1.5微米 1980年代初期至中期 英特尔 Intel 80286
9 1/1.2微米 1980年代中期至末期 英特尔 Intel 80386
10 0.75/0.8微米 1980年代末期至1990年代初期 英特尔 Intel 80486
11 0.65/0.7微米[9] 1990年代初期[9] 超威半导体 Am486（英语：Am486）[9]
12 0.5/0.6 微米 1990年代初期至中期 英特尔 奔騰OverDrive P54C
13 0.28/0.35微米 1990年代中期至末期 英特尔 奔腾Pro P54CS
14 0.24/0.25微米 1990年代末期 超威半导体 AMD K6-2
15 0.18/0.22微米 1990年代末期至2000年代初期 超威半导体 AMD Athlon
16 0.13/0.15微米 2000年代初期 英特尔 奔腾M
17 90/110纳米 2000年代初期至中期 英特尔 奔腾4
18 65/80纳米 2000年代中期 英特尔 奔腾D
19 55/60纳米[10] 2000年代中期至末期[10] 三星 DDR2 SDRAM[10]
20 40/45纳米 2000年代末期 英特尔 Intel Core i7 Lynnfield
21 38/39纳米[11] 2000年代末期至2010年代初期[11] 三星 DDR4 SDRAM[11]
22 32/34纳米 2010年初期 英特尔 Westmere
23 28/30纳米[12] 2010年初期至中期[12] 高通 高通骁龙 S4[12]
24 20/22 纳米 2010年中期 英特尔 Ivy Bridge
25 16/18纳米[13] 2010年中期至2017年[13] 三星 1X-nano 动态随机存取存储器[13]
26 12/14纳米 2014年开始量产 英特尔 Broadwell
27 10/11纳米 2016年开始量产 高通骁龙 835
28 7/8 纳米 2018年开始量产 苹果公司 Apple A12 Bionic
29 5/6 纳米 2020年开始量产 苹果公司 Apple A14
30 3/4纳米 2023年开始量产 苹果公司 Apple A17 Pro
31 1.8/2纳米 三星[14]和台积电计划2025年开始量产。[15][16] 未知
32 1/1.4纳米 英特尔计划2029年开始量产。[17] 未知

參考资料 编辑

  1. ^ 1.00 1.01 1.02 1.03 1.04 1.05 1.06 1.07 1.08 1.09 1.10 1.11 1.12 1.13 1.14 Lojek, Bo. History of Semiconductor Engineering. Springer Science & Business Media. 2007: 330. ISBN 9783540342588. 
  2. ^ 2.00 2.01 2.02 2.03 2.04 2.05 2.06 2.07 2.08 2.09 2.10 2.11 2.12 2.13 2.14 Lécuyer, Christophe. Making Silicon Valley: Innovation and the Growth of High Tech 1930-1970.. MIT Press. 2006: 393. ISBN 9780262122818. 
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十月 28, 2023
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