移动DDR （英文：Mobile DDR ）（也称MDDR 、Low Power DDR 或LPDDR ）是DDR SDRAM 的一種，專門用於移動式電子產品 ，例如智能電話 等。
Mobile DDR: Samsung K4X2G323PD-8GD8
DDR内存从DDR 、DDR2 、DDR3 发展到DDR4 ，频率更高、电压更低的同时卻也讓反應時間不断变大，改变着内存子系统。而DDR4最重要的使命是提高频率和带宽，每个针脚都可以提供2Gbps（256MB/s）的带宽，拥有高达4266MT/s的频率，内存容量最大可达到128GB，运行电压正常可降至1.1V~1.2V。
相对于DDR内存，MDDR具有低功耗、高可靠性的特点，目前韩国三星电子 与美光科技 等（Micron Technology）都掌握该项技术。
MDDR的运行电压（工作电压）相比DDR的标准电压要低，从第一代LPDDR到如今的LPDDR4，每一代LPDDR都使内部读取大小和外部传输速度加倍。其中LPDDR4可提供32Gbps的带宽，输入/输出接口数据传输速度最高可达3200Mbps，电压降到了1.1V。
LPDDR2 一个新的JEDEC 标准JESD209-2F （页面存档备份，存于互联网档案馆 ）定义了low-power DDR介面标准。它与DDR1或DDR2 SDRAM 并不兼容，但类似：
LPDDR2-S2: 2n prefetch memory (像 DDR1)， LPDDR2-S4: 4n prefetch memory (像 DDR2)，或是 LPDDR2-N: 非易失性（NAND ）内存。 低功耗狀態基本相似，LPDDR，一些額外的部分陣列更新選項。
LPDDR2 命令编码[1] CK CA0RAS ) CA1CAS ) CA2WE ) CA3 CA4 CA5 CA6 CA7 CA8 CA9 操作 ↑ H H H — NOP ↓ — ↑ H H L H H — 預先充電所有的 banks ↓ — ↑ H H L H L — BA2 BA1 BA0 預先充電一個 bank ↓ — ↑ H H L H A30 A31 A32 BA2 BA1 BA0 Preactive ↓ A20 A21 A22 A23 A24 A25 A26 A27 A28 A29 ↑ H H L L — 突發中止 ↓ — ↑ H L H reserved C1 C2 BA2 BA1 BA0 讀 ↓ AP C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 C10 C11 ↑ H L L reserved C1 C2 BA2 BA1 BA0 寫 ↓ AP C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 C10 C11 ↑ L H R8 R9 R10 R11 R12 BA2 BA1 BA0 激活 ↓ R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R13 R14 ↑ L H A15 A16 A17 A18 A19 BA2 BA1 BA0 激活 ↓ A5 A6 A7 A8 A9 A10 A11 A12 A13 A14 ↑ L L H H — 更新所有的 banks ↓ — ↑ L L H L — 更新一個 bank ↓ — ↑ L L L H MA0 MA1 MA2 MA3 MA4 MA5 Mode register read ↓ MA6 MA7 — ↑ L L L L MA0 MA1 MA2 MA3 MA4 MA5 Mode register write ↓ MA6 MA7 OP0 OP1 OP2 OP3 OP4 OP5 OP6 OP7
列位址（Column address）C0 bit從未轉讓，並假定為零。 突發傳輸（Burst transfers）從而始終在偶數地址開始。
LPDDR2也有一個低電平有效的chip select（高時，一切都是NOP）和時鐘（clock）開啟CKE信號，操作像SDRAM。
如果晶片被激活（active），它凍結（freeze）到位。 如果該命令是一個NOP（CS低或CA0 - 2 = HHH），晶片空閒。 如果該命令是一個更新命令（CA0 - 2 = LLH），晶片進入自更新狀態。 如果該命令是一個突發終止（CA0 - 2 = HHL），晶片進入深斷電狀態。 （完全復位序列時，需要離開。）
LPDDR3 2012年5月，JEDEC固態技術協會 公佈JESD209-3低功耗記憶裝置標準。比起LPDDR2，LPDDR3提供更高的數據傳輸速率、更高的頻寬與功率效率。LPDDR3可達到1600 MT/s的數據傳輸速率，並利用關鍵的新技術write-leveling、command/address training、選擇性ODT（On Die Termination）與低I/O電容。LPDDR3支援PoP封裝（package-on-package）與離散封裝兩種形式。
LPDDR4 2013年3月14日，JEDEC固態技術協會舉辦會議，探討未來移動裝置的新標準，如LPDDR4。
LPDDR4X 三星電子提出最新的LPDDR4標準，与LPDDR4相同，只是透過将I / O电压降低到0.6 V而不是1.1 V来节省额外的功耗，也就是更省电。
LPDDR5 2017年，JEDEC固態技術協會正在研究LP-DDR5記憶裝置標準。儘管負責制定記憶體標準的JEDEC固態技術協會尚未發表LPDDR5的正式規格，但三星已經完成8Gbit LPDDR5模組原型的功能測試與驗證。
JEDEC於2019年2月19日發布了JESD209-5，低功耗雙倍數據速率5（LPDDR5）標準。
LPDDR5X 2021年7月28日，JEDEC發布了JESD209-5B，低功耗雙倍數據速率5 (LPDDR5)。JESD209-5B包括對LPDDR5標準的更新，專注於提高性能、功耗和靈活性，以及新的LPDDR5X標準，這是對LPDDR5的可選擴展。
2021年11月9日，三星宣佈公司已開發出業界首款LPDDR5x DRAM。基於14納米的16GB LPDDR5X DRAM解決方案，不僅具有1.3倍以上的數據傳輸速率、功耗還降低了將近20%[2]
2021年11月22日， 美光科技宣佈，聯發科技已率先驗證美光LPDDR5X DRAM，並將用於其為智能手機打造的全新天璣9000 5G旗艦晶片組。[3]
注釋 ^ JEDEC Standard: Low Power Double Data Rate 2 (LPDDR2) (PDF) , JEDEC Solid State Technology Association, February 2010 [2010-12-30 ] , （原始内容 (PDF) 于2012-03-04） ^ Frumusanu, Andrei. Samsung Announces First LPDDR5X at 8.5Gbps. Anandtech.com. 2021-11-09 [2021-11-09 ] . （原始内容于2022-11-29）. ^ Micron and MediaTek First to Validate LPDDR5X | Micron Technology. [2022-11-29 ] . （原始内容于2022-11-15）.
外部連結
移动ddr, 此條目可参照英語維基百科相應條目来扩充, 2020年8月7日, 若您熟悉来源语言和主题, 请协助参考外语维基百科扩充条目, 请勿直接提交机械翻译, 也不要翻译不可靠, 低品质内容, 依版权协议, 译文需在编辑摘要注明来源, 或于讨论页顶部标记, href, template, translated, page, html, title, template, translated, page, translated, page, 标签, 此條目需要編修, 以確保文法, 用詞, 语气, 格式, 標點等使用. 此條目可参照英語維基百科相應條目来扩充 2020年8月7日 若您熟悉来源语言和主题 请协助参考外语维基百科扩充条目 请勿直接提交机械翻译 也不要翻译不可靠 低品质内容 依版权协议 译文需在编辑摘要注明来源 或于讨论页顶部标记 a href Template Translated page html title Template Translated page Translated page a 标签 此條目需要編修 以確保文法 用詞 语气 格式 標點等使用恰当 請按照校對指引 幫助编辑這個條目 幫助 討論 移动DDR 英文 Mobile DDR 也称MDDR Low Power DDR或LPDDR 是DDR SDRAM的一種 專門用於移動式電子產品 例如智能電話等 Mobile DDR Samsung K4X2G323PD 8GD8 DDR内存从DDR DDR2 DDR3发展到DDR4 频率更高 电压更低的同时卻也讓反應時間不断变大 改变着内存子系统 而DDR4最重要的使命是提高频率和带宽 每个针脚都可以提供2Gbps 256MB s 的带宽 拥有高达4266MT s的频率 内存容量最大可达到128GB 运行电压正常可降至1 1V 1 2V 相对于DDR内存 MDDR具有低功耗 高可靠性的特点 目前韩国三星电子与美光科技等 Micron Technology 都掌握该项技术 MDDR的运行电压 工作电压 相比DDR的标准电压要低 从第一代LPDDR到如今的LPDDR4 每一代LPDDR都使内部读取大小和外部传输速度加倍 其中LPDDR4可提供32Gbps的带宽 输入 输出接口数据传输速度最高可达3200Mbps 电压降到了1 1V 目录 1 LPDDR2 2 LPDDR3 3 LPDDR4 3 1 LPDDR4X 4 LPDDR5 4 1 LPDDR5X 5 注釋 6 外部連結LPDDR2 编辑一个新的JEDEC标准JESD209 2F 页面存档备份 存于互联网档案馆 定义了low power DDR介面标准 它与DDR1或DDR2 SDRAM并不兼容 但类似 LPDDR2 S2 2n prefetch memory 像 DDR1 LPDDR2 S4 4n prefetch memory 像 DDR2 或是 LPDDR2 N 非易失性 NAND 内存 低功耗狀態基本相似 LPDDR 一些額外的部分陣列更新選項 LPDDR2 命令编码 1 CK CA0 RAS CA1 CAS CA2 WE CA3 CA4 CA5 CA6 CA7 CA8 CA9 操作 H H H NOP H H L H H 預先充電所有的 banks H H L H L BA2 BA1 BA0 預先充電一個 bank H H L H A30 A31 A32 BA2 BA1 BA0 Preactive LPDDR2 N only A20 A21 A22 A23 A24 A25 A26 A27 A28 A29 H H L L 突發中止 H L H reserved C1 C2 BA2 BA1 BA0 讀 AP auto precharge AP C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 C10 C11 H L L reserved C1 C2 BA2 BA1 BA0 寫 AP auto precharge AP C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 C10 C11 L H R8 R9 R10 R11 R12 BA2 BA1 BA0 激活 R0 14 Row address R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R13 R14 L H A15 A16 A17 A18 A19 BA2 BA1 BA0 激活 LPDDR2 N only A5 A6 A7 A8 A9 A10 A11 A12 A13 A14 L L H H 更新所有的 banks LPDDR2 Sx only L L H L 更新一個 bank Round robin addressing L L L H MA0 MA1 MA2 MA3 MA4 MA5 Mode register read MA0 7 Address MA6 MA7 L L L L MA0 MA1 MA2 MA3 MA4 MA5 Mode register write OP0 7 Data MA6 MA7 OP0 OP1 OP2 OP3 OP4 OP5 OP6 OP7列位址 Column address C0 bit從未轉讓 並假定為零 突發傳輸 Burst transfers 從而始終在偶數地址開始 LPDDR2也有一個低電平有效的chip select 高時 一切都是NOP 和時鐘 clock 開啟CKE信號 操作像SDRAM 如果晶片被激活 active 它凍結 freeze 到位 如果該命令是一個NOP CS低或CA0 2 HHH 晶片空閒 如果該命令是一個更新命令 CA0 2 LLH 晶片進入自更新狀態 如果該命令是一個突發終止 CA0 2 HHL 晶片進入深斷電狀態 完全復位序列時 需要離開 LPDDR3 编辑2012年5月 JEDEC固態技術協會公佈JESD209 3低功耗記憶裝置標準 比起LPDDR2 LPDDR3提供更高的數據傳輸速率 更高的頻寬與功率效率 LPDDR3可達到1600 MT s的數據傳輸速率 並利用關鍵的新技術write leveling command address training 選擇性ODT On Die Termination 與低I O電容 LPDDR3支援PoP封裝 package on package 與離散封裝兩種形式 LPDDR4 编辑2013年3月14日 JEDEC固態技術協會舉辦會議 探討未來移動裝置的新標準 如LPDDR4 LPDDR4X 编辑 三星電子提出最新的LPDDR4標準 与LPDDR4相同 只是透過将I O电压降低到0 6 V而不是1 1 V来节省额外的功耗 也就是更省电 LPDDR5 编辑2017年 JEDEC固態技術協會正在研究LP DDR5記憶裝置標準 儘管負責制定記憶體標準的JEDEC固態技術協會尚未發表LPDDR5的正式規格 但三星已經完成8Gbit LPDDR5模組原型的功能測試與驗證 JEDEC於2019年2月19日發布了JESD209 5 低功耗雙倍數據速率5 LPDDR5 標準 LPDDR5X 编辑 2021年7月28日 JEDEC發布了JESD209 5B 低功耗雙倍數據速率5 LPDDR5 JESD209 5B包括對LPDDR5標準的更新 專注於提高性能 功耗和靈活性 以及新的LPDDR5X標準 這是對LPDDR5的可選擴展 2021年11月9日 三星宣佈公司已開發出業界首款LPDDR5x DRAM 基於14納米的16GB LPDDR5X DRAM解決方案 不僅具有1 3倍以上的數據傳輸速率 功耗還降低了將近20 2 2021年11月22日 美光科技宣佈 聯發科技已率先驗證美光LPDDR5X DRAM 並將用於其為智能手機打造的全新天璣9000 5G旗艦晶片組 3 注釋 编辑 JEDEC Standard Low Power Double Data Rate 2 LPDDR2 PDF JEDEC Solid State Technology Association February 2010 2010 12 30 原始内容存档 PDF 于2012 03 04 Frumusanu Andrei Samsung Announces First LPDDR5X at 8 5Gbps Anandtech com 2021 11 09 2021 11 09 原始内容存档于2022 11 29 Micron and MediaTek First to Validate LPDDR5X Micron Technology 2022 11 29 原始内容存档于2022 11 15 外部連結 编辑Samsung 页面存档备份 存于互联网档案馆 Micron Elpida 取自 https zh wikipedia org w index php title 移动DDR amp oldid 74884549, 维基百科，wiki ，书籍，书籍，图书馆，
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