^Black J.R.(April 1969)"Electromigration-A Brief Survey and Some Recent Results" IEEE Trans.on Electron Devices 16(4) 338-347
^Black J.R.(September 1969)"Electromigration Failure Modes in Aluminium Metallization for Semiconductor Devices" Proc.of the IEEE 57(9): 1587-94
二月 02, 2023
电迁移, 此條目包含過多行話或專業術語, 可能需要簡化或提出進一步解釋, 2014年2月19日, 請在討論頁中發表對於本議題的看法, 並移除或解釋本條目中的行話, 英語, electromigration, 是由于通电导体内的电子运动, 把它们的动能传递给导体的金属离子, 使离子朝电场反方向运动而逐渐迁移, 导致导体的原子扩散, 损失的一种现象, 由法国科学家伽拉丁约在100年前发现的, 但到1966年出现積體電路后, 才有更多人对它进行研究, 目录, 公式, 影响, 发展, 参考文献公式, 编辑1969年摩托罗拉. 此條目包含過多行話或專業術語 可能需要簡化或提出進一步解釋 2014年2月19日 請在討論頁中發表對於本議題的看法 並移除或解釋本條目中的行話 电迁移 英語 Electromigration 1 是由于通电导体内的电子运动 把它们的动能传递给导体的金属离子 使离子朝电场反方向运动而逐渐迁移 导致导体的原子扩散 损失的一种现象 由法国科学家伽拉丁约在100年前发现的 但到1966年出现積體電路后 才有更多人对它进行研究 目录 1 公式 2 影响 3 发展 4 参考文献公式 编辑1969年摩托罗拉公司吉姆 贝勒克的研究取得很重要的结果 2 得出由于电迁移而使电路失效的平均时间T的公式为 T A J n e E a k T displaystyle text T frac A J n e frac E text a kT 这里 A為与横截面积有关的常数 J為电流密度 N為无量纲因子 一般取2 Ea為电迁移的激活能 k為波尔兹曼常数 T為温度 影响 编辑电流密度是一个由设计而定的参数 影晌电迁移的重要物理因素主要有温度 导线的宽度和导线的长度 当电迁移效应出现时 由于离子流的不对称性 可造成二种电线路的失败 当流走的离子通量超过流入离子通量时 形成空缺 造成开断电路 当流入离子流超过流出离子流时 出现 小山丘 造成电路短路 发展 编辑由于科学技术的快速发展 積體電路的密度不断提高 现已发展到应用纳米技术阶段 从2004年到2020年積體電路的三个主要参数就可看出它现在的发展趋势 电流密度由1 10 4 A cm 到 3 10 7 A cm 线宽由90nm縮小到15nm 线长由1km cm 增大到7km cm 在这样高密度的積體電路要求下 如何避免电迁移效应的发生是一个要考虑的问题 参考文献 编辑 Black J R April 1969 Electromigration A Brief Survey and Some Recent Results IEEE Trans on Electron Devices 16 4 338 347 Black J R September 1969 Electromigration Failure Modes in Aluminium Metallization for Semiconductor Devices Proc of the IEEE 57 9 1587 94 取自 https zh wikipedia org w index php title 电迁移 amp oldid 55135128, 维基百科,wiki,书籍,书籍,图书馆,