斯特兰斯基－克拉斯坦诺夫生长簡稱S-K生長，是薄膜在結晶表面磊晶成長的三種主要模式之一。此生長機制包含兩個過程：首先在基板上吸附成薄膜並開始層狀累積，達到臨界厚度時，會因應力和化學能導致薄膜轉變為島狀成長模式[1][2][3][4] 。S-K生長最早由伊万·斯特兰斯基和Lyubomir Krastanov在1938年發現[5]。直到1958年，S-K生長模式、Volmer-Weber生長模式和Frank–van der Merwe生長模式才被恩斯特·鮑爾（Ernst Bauer）在他的著作中正式歸類為薄膜成長的三大主要機制。[6]
参考资料
^Venables, John. Introduction to Surface and Thin Film Processes. Cambridge: Cambridge University Press. 2000. ISBN 0-521-62460-6.
^Pimpinelli, Alberto; Jacques Villain. Physics of Crystal Growth. Cambridge: Cambridge University Press. 1998. ISBN 0-521-55198-6.
^Oura, K.; V.G. Lifshits; A.A. Saranin; A.V. Zotov; M. Katayama. Surface Science: An Introduction. Berlin: Springer. 2003. ISBN 3-540-00545-5.
^Eaglesham, D.J.; M. Cerullo. Dislocation-free Stranski-Krastanow growth of Ge on Si(100). Physical Review Letters. April 1990, 64 (16): 1943–1946. Bibcode:1990PhRvL..64.1943E. doi:10.1103/PhysRevLett.64.1943.
^Ivan N. Stranski and Lubomir Krastanow, (1938) Abhandlungen der Mathematisch-Naturwissenschaftlichen Klasse IIb.
^Bauer, Ernst. Phaenomenologische Theorie der Kristallabscheidung an Oberflaechen I.. Zeitschrift für Kristallographie. 1958, 110: 372–394. Bibcode:1958ZK....110..372B. doi:10.1524/zkri.1958.110.1-6.372.
一月 05, 2023
斯特兰斯基, 克拉斯坦诺夫生长, 簡稱s, k生長, 是薄膜在結晶表面磊晶成長的三種主要模式之一, 此生長機制包含兩個過程, 首先在基板上吸附成薄膜並開始層狀累積, 達到臨界厚度時, 會因應力和化學能導致薄膜轉變為島狀成長模式, k生長最早由伊万, 斯特兰斯基和lyubomir, krastanov在1938年發現, 直到1958年, k生長模式, volmer, weber生長模式和frank, merwe生長模式才被恩斯特, 鮑爾, ernst, bauer, 在他的著作中正式歸類為薄膜成長的三大主要機制, 参. 斯特兰斯基 克拉斯坦诺夫生长簡稱S K生長 是薄膜在結晶表面磊晶成長的三種主要模式之一 此生長機制包含兩個過程 首先在基板上吸附成薄膜並開始層狀累積 達到臨界厚度時 會因應力和化學能導致薄膜轉變為島狀成長模式 1 2 3 4 S K生長最早由伊万 斯特兰斯基和Lyubomir Krastanov在1938年發現 5 直到1958年 S K生長模式 Volmer Weber生長模式和Frank van der Merwe生長模式才被恩斯特 鮑爾 Ernst Bauer 在他的著作中正式歸類為薄膜成長的三大主要機制 6 参考资料 编辑 Venables John Introduction to Surface and Thin Film Processes Cambridge Cambridge University Press 2000 ISBN 0 521 62460 6 Pimpinelli Alberto Jacques Villain Physics of Crystal Growth Cambridge Cambridge University Press 1998 ISBN 0 521 55198 6 Oura K V G Lifshits A A Saranin A V Zotov M Katayama Surface Science An Introduction Berlin Springer 2003 ISBN 3 540 00545 5 Eaglesham D J M Cerullo Dislocation free Stranski Krastanow growth of Ge on Si 100 Physical Review Letters April 1990 64 16 1943 1946 Bibcode 1990PhRvL 64 1943E doi 10 1103 PhysRevLett 64 1943 Ivan N Stranski and Lubomir Krastanow 1938 Abhandlungen der Mathematisch Naturwissenschaftlichen Klasse IIb Bauer Ernst Phaenomenologische Theorie der Kristallabscheidung an Oberflaechen I Zeitschrift fur Kristallographie 1958 110 372 394 Bibcode 1958ZK 110 372B doi 10 1524 zkri 1958 110 1 6 372 取自 https zh wikipedia org w index php title 斯特兰斯基 克拉斯坦诺夫生长 amp oldid 71374546, 维基百科，wiki，书籍，书籍，图书馆，
