异丁基锗烷, 此條目已列出參考文獻, 但因為沒有文內引註而使來源仍然不明, 2018年12月27日, 请加上合适的文內引註来改善这篇条目, ibge, 化学式, 2chch2geh3, 是一种有机锗化合物, 它是一种无色不稳定的液体, 用于有机金属化学气相沉积法, 在张力硅的应用中, 用于形成沉积的锗薄膜和含锗的半导体薄膜, 例如锗化硅, 它还用于制备nand, flash中的gesbte, iupac名isobutylgermane别名, isobutylgermanium, trihydride识别cas号, . 此條目已列出參考文獻 但因為沒有文內引註而使來源仍然不明 2018年12月27日 请加上合适的文內引註来改善这篇条目 异丁基锗烷 IBGe 化学式 CH3 2CHCH2GeH3 是一种有机锗化合物 它是一种无色不稳定的液体 用于有机金属化学气相沉积法 在张力硅的应用中 异丁基锗烷用于形成沉积的锗薄膜和含锗的半导体薄膜 例如锗化硅 它还用于制备NAND Flash中的GeSbTe 异丁基锗烷IUPAC名isobutylgermane别名 Isobutylgermanium trihydride识别CAS号 768403 89 0 ChemSpider 21389305SMILES CC C C Ge InChI 1 C4H12Ge c1 4 2 3 5 h4H 3H2 1 2 5H3InChIKey PILXXBFWCYMNMX UHFFFAOYAD性质化学式 C4H12Ge摩尔质量 132 78 g mol 外观 无色透明液体密度 0 96 g mL熔点 lt 78 C沸点 66 C溶解性 水 不溶于水相关物质相关化学品 GeH4若非注明 所有数据均出自标准状态 25 100 kPa 下 参考资料 编辑拓展阅读 编辑IBGe Brief description from National Compound Semiconductor Roadmap Elaboration et Physique des Structures Epitaxiees LPN Heterostructures III V pour l optoelectronique sur Si Article in French from LPN CNRS France Designing Novel Organogermanium OMVPE Precursors for High purity Germanium Films 永久失效連結 Journal of Crystal Growth January 25 2006 Ge Precursors for Strained Si and Compound Semiconductors Semiconductor International April 1 2006 Development of New Germanium Precursors for SiGe Epitaxy Deo Shenai and Egbert Woelk Presentation at 210th ECS Meeting Cancun Mexico October 29 2006 外部链接 编辑Laboratoire de Photonique et de Nanostructures LPN CNRS IMEM CNR Institute 页面存档备份 存于互联网档案馆 取自 https zh wikipedia org w index php title 异丁基锗烷 amp oldid 72350108, 维基百科，wiki，书籍，书籍，图书馆，
