三碘甲硅烷

三碘甲硅烷是一种卤代甲硅烷，化学式 SiHI
3。

三碘甲硅烷
别名	硅代碘仿
识别
CAS号	13465-72-0
PubChem	139463
SMILES	I[SiH](I)I
性质
化学式	SiHI 3
摩尔质量	409.81 g·mol⁻¹
外观	无色液体^[1]
密度	3.31 g·cm^−3^[2]
熔点	8 °C^[3]
沸点	220 °C (分解)^[3]
溶解性（水）	分解^[4]
溶解性	可溶于苯和二硫化碳^[4]
若非注明，所有数据均出自标准状态（25 ℃，100 kPa）下。

制备

三碘甲硅烷可以由三氯甲硅烷和苯胺的苯溶液和碘化氢的两步反应而成。^[1]

${\displaystyle \mathrm {SiHCl_{3}+6\ C_{6}H_{5}NH_{2}\longrightarrow SiH(NHC_{6}H_{5})_{3}+3\ [C_{6}H_{5}NH_{3}]Cl} }$ 

${\displaystyle \mathrm {SiH(NHC_{6}H_{5})_{3}+6\ HI\longrightarrow SiHI_{3}+3\ [C_{6}H_{5}NH_{3}]I} }$ 

三碘甲硅烷也可以由硅和碘化氢反应而成，类似三溴甲硅烷，不过量很少。^[1] 这个反应在1857年三溴甲硅烷首次合成时，就被弗里德里希·维勒和Heinrich Buff（德语：Heinrich Buff）描述了。^[5]

${\displaystyle \mathrm {Si+3\ HI\rightarrow SiHI_{3}+H_{2}} }$ 

它也可以由三氯甲硅烷和氨里的碘化铵反应而成。^[6]

它也可以由三苯甲硅烷和碘化氢反应而成。这个反应由氯化铝催化。^[7]

${\displaystyle \mathrm {SiH(C_{6}H_{5})_{3}+3\ HI\longrightarrow SiHI_{3}+3\ C_{6}H_{6}} }$ 

性质

三碘甲硅烷是一种无色，易水解，易光解的液体。^[1][4]

用处

三碘甲硅烷和二碘甲硅烷可以用来分离硅层。^[7][8]

参考资料

1. Georg Brauer (Hrsg.), unter Mitarbeit von Marianne Baudler u. a.: Handbuch der Präparativen Anorganischen Chemie. 3., umgearbeitete Auflage. Band II, Ferdinand Enke, Stuttgart 1978, ISBN 3-432-87813-3, S. 688.
2. Griffin, Bohn and Company. The Chemical News and Journal of Industrial Science; with which is Incorporated the "Chemical Gazette." A Journal of Practical Chemistry in All Its Applications to Pharmacy, Arts and Manufactures. Chemical news office. 1868: 76. 
3. William M. Haynes. CRC Handbook of Chemistry and Physics, 93rd Edition. CRC Press. 2016: 88. ISBN 978-1-4398-8050-0. 
4. R. Blachnik. Taschenbuch für Chemiker und Physiker Band 3: Elemente, anorganische Verbindungen und Materialien, Minerale. Springer-Verlag. 2013: 730. ISBN 978-3-642-58842-6. 
5. H. Buff, F. Wöhler, Ueber neue Verbindungen des Siliciums, Annalen der Chemie und Pharmacie. 1857, 104 (1): pp. 94-109, doi:10.1002/jlac.18571040108 （德文） 
6. E. G. Rochow. The Chemistry of Silicon Pergamon International Library of Science, Technology, Engineering and Social Studies. Elsevier. 2013: 1371. ISBN 978-1-4831-8755-6. 
7. G. Tamizhmani, Michael Cocivera, Richard T. Oakley, Paul Del Bel Belluz: Some physical properties of undoped amorphous silicon prepared by a new CVD process using iodosilanes. In: Chemistry of Materials. 2, 1990, S. 473, doi:10.1021/cm00010a029.
8. Patent WO1984000353A1 – Ultra-pure epitaxial silicon （页面存档备份，存于互联网档案馆）, abgerufen am 13. Dezember 2016.