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氧化銦鎵鋅

十一月 13, 2023

氧化銦鎵鋅（英語：indium gallium zinc oxide，缩写：IGZO）是一種LCD薄膜電晶體顯示器技術，IGZO結晶最初由君塚昇於1985年合成[1]，1990年代由東京工業大學教授細野秀雄與日本科学技术振兴机构（JST）共同開發成IGZO透明不定形氧化物半導體技術[2]。IGZO技術可提高面板解析度同時又降低成本，但IGZO面板對光、水以及氧都相當敏感，耐用度上只能用做民間消費品，不能用於高可靠度的軍用或工業環境。

IGZO與非晶矽相比能夠縮小電晶體尺寸，提高液晶面板畫素的開口率，較易實現解析度高出一倍，電子遷移率快十倍，成為OLED技術的最大對手。

日本科學技術振興機構（JST）把技術專利於2011年授權予三星電子[3]，2012年夏普(Sharp)亦獲得授權[4]。

LTPS（低溫多矽顯示面板）的表現在某些方面比IGZO更佳（如電子遷移率比IGZO快約十倍），但是LTPS用在小尺寸面板上才能有可接受的成本，在中大尺寸面板上使用IGZO技術的成本則比使用LTPS低很多。

參見 编辑

参考文献 编辑

  1. ^ N. Kimizuka and T. Mohri: J. Solid State Chem. 60 (1985) 382.
  2. ^ http://dx.doi.org/10.1038/nature03090
  3. ^ 存档副本. [2014-01-07]. （原始内容于2013-12-05）. 
  4. ^ 存档副本. [2014-01-07]. （原始内容于2014-01-07）. 

参见 编辑

十一月 13, 2023
氧化銦鎵鋅, 英語, indium, gallium, zinc, oxide, 缩写, igzo, 是一種lcd薄膜電晶體顯示器技術, igzo結晶最初由君塚昇於1985年合成, 1990年代由東京工業大學教授細野秀雄與日本科学技术振兴机构, 共同開發成igzo透明不定形氧化物半導體技術, igzo技術可提高面板解析度同時又降低成本, 但igzo面板對光, 水以及氧都相當敏感, 耐用度上只能用做民間消費品, 不能用於高可靠度的軍用或工業環境, igzo與非晶矽相比能夠縮小電晶體尺寸, 提高液晶面板畫素的開口率, . 氧化銦鎵鋅 英語 indium gallium zinc oxide 缩写 IGZO 是一種LCD薄膜電晶體顯示器技術 IGZO結晶最初由君塚昇於1985年合成 1 1990年代由東京工業大學教授細野秀雄與日本科学技术振兴机构 JST 共同開發成IGZO透明不定形氧化物半導體技術 2 IGZO技術可提高面板解析度同時又降低成本 但IGZO面板對光 水以及氧都相當敏感 耐用度上只能用做民間消費品 不能用於高可靠度的軍用或工業環境 IGZO與非晶矽相比能夠縮小電晶體尺寸 提高液晶面板畫素的開口率 較易實現解析度高出一倍 電子遷移率快十倍 成為OLED技術的最大對手 日本科學技術振興機構 JST 把技術專利於2011年授權予三星電子 3 2012年夏普 Sharp 亦獲得授權 4 LTPS 低溫多矽顯示面板 的表現在某些方面比IGZO更佳 如電子遷移率比IGZO快約十倍 但是LTPS用在小尺寸面板上才能有可接受的成本 在中大尺寸面板上使用IGZO技術的成本則比使用LTPS低很多 參見 编辑細野秀雄参考文献 编辑 N Kimizuka and T Mohri J Solid State Chem 60 1985 382 http dx doi org 10 1038 nature03090 存档副本 2014 01 07 原始内容存档于2013 12 05 存档副本 2014 01 07 原始内容存档于2014 01 07 参见 编辑OLED 取自 https zh wikipedia org w index php title 氧化銦鎵鋅 amp oldid 79280269, 维基百科，wiki，书籍，书籍，图书馆，

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