非揮發性記憶體（英語：Non-Volatile Memory，缩写：NVM）或非依電性記憶體是指當電流關掉後，所儲存的資料不會消失的資料儲存裝置。非揮發性記憶體中，依記憶體內的資料是否能在使用系統時隨時改寫為標準，可分為三大類產品，即ROM、Flash memory和NVRAM。
類型 非揮發性記憶體主要有以下類型：
- ROM（Read-only memory，唯讀記憶體）
- PROM（Programmable read-only memory，可規化唯讀記憶體）
- EAROM（Electrically alterable read only memory，電可改寫唯讀記憶體）
- EPROM（Erasable programmable read only memory，可擦可規化唯讀記憶體）
- EEPROM（Electrically erasable programmable read only memory，電可擦可規化唯讀記憶體）
- Flash memory（快閃記憶體）
- NVRAM（非揮發性隨機存取記憶體）
- FRAM（Ferroelectric RAM，铁电随机存取内存）
- MRAM（Magnetoresistive RAM，磁阻式随机存取内存）
- 忆阻器存储器
- 由电池（多为锂一次电池）供电的静态随机存取存储器，其缺点是会随着电量耗尽而失效
硬碟、光碟與磁帶雖然也是非揮發性貯存裝置，但被歸類為現行NVM一般特指非機械式之電子類記憶體元件。
規格 | 類型[1] | 2.5" HDD | 1" Microdrive | Flash Memory | Optical Disk | Tape | MRAM |
|---|
| 產品型號 | | | | Blu Ray | | Freescale MR2A16A （页面存档备份，存于互联网档案馆） |
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| Density（GBit/cm2） | 20.3 | 18.4 | 0.8 | 3.8 | 0.047 | 0.0021 |
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| 容量（GByte） | 160 | 8 | 2 | 50 | 400 | 0.004 |
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| 數據傳輸速度（Mbit/s） | 540 | 80 | 23 | 144 | 640 | 436 |
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| Access time（ms）[註 1] | 11 | 12 | 0.025 | 180 | 72000 | 0.035 |
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| Power consumption (W)[註 2] | 1.8 | 0.6 | 0.1 | 25 | 20 | 0.08 |
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| 尺寸（高x寬x長（cm）） | 0.95x7x10 | 0.5x3x4 | 0.1x1.2x2 | 4x15x19 | 2x10x10 | 0.1x1x1.8 |
|---|
非揮發性記憶體已大量用於電子產品，尤其可攜帶性產品之中（如移動電話、數位相機、MP3等等）。
参见注释参考文献 - ^ A justification for this table can be found here （页面存档备份，存于互联网档案馆）:
非揮發性記憶體, 英語, volatile, memory, 缩写, 或非依電性記憶體是指當電流關掉後, 所儲存的資料不會消失的資料儲存裝置, 依記憶體內的資料是否能在使用系統時隨時改寫為標準, 可分為三大類產品, 即rom, flash, memory和nvram, 目录, 類型, 規格, 用途, 参见, 注释, 参考文献類型, 编辑主要有以下類型, read, only, memory, 唯讀記憶體, prom, programmable, read, only, memory, 可規化唯讀記憶體, earom. 非揮發性記憶體 英語 Non Volatile Memory 缩写 NVM 或非依電性記憶體是指當電流關掉後 所儲存的資料不會消失的資料儲存裝置 非揮發性記憶體中 依記憶體內的資料是否能在使用系統時隨時改寫為標準 可分為三大類產品 即ROM Flash memory和NVRAM 目录 1 類型 2 規格 3 用途 4 参见 5 注释 6 参考文献類型 编辑非揮發性記憶體主要有以下類型 ROM Read only memory 唯讀記憶體 PROM Programmable read only memory 可規化唯讀記憶體 EAROM Electrically alterable read only memory 電可改寫唯讀記憶體 EPROM Erasable programmable read only memory 可擦可規化唯讀記憶體 EEPROM Electrically erasable programmable read only memory 電可擦可規化唯讀記憶體 Flash memory 快閃記憶體 NVRAM 非揮發性隨機存取記憶體 FRAM Ferroelectric RAM 铁电随机存取内存 MRAM Magnetoresistive RAM 磁阻式随机存取内存 忆阻器存储器 由电池 多为锂一次电池 供电的静态随机存取存储器 其缺点是会随着电量耗尽而失效硬碟 光碟與磁帶雖然也是非揮發性貯存裝置 但被歸類為現行NVM一般特指非機械式之電子類記憶體元件 規格 编辑類型 1 2 5 HDD 1 Microdrive Flash Memory Optical Disk Tape MRAM產品型號 Hitachi Travelstar 5k160 Hitachi Microdrive 3k8 Hynix HY27UH08AG5M Blu Ray HP Ultrium 960 Freescale MR2A16A 页面存档备份 存于互联网档案馆 Density GBit cm2 20 3 18 4 0 8 3 8 0 047 0 0021容量 GByte 160 8 2 50 400 0 004數據傳輸速度 Mbit s 540 80 23 144 640 436Access time ms 註 1 11 12 0 025 180 72000 0 035Power consumption W 註 2 1 8 0 6 0 1 25 20 0 08尺寸 高x寬x長 cm 0 95x7x10 0 5x3x4 0 1x1 2x2 4x15x19 2x10x10 0 1x1x1 8用途 编辑 SanDisk Cruzer Titanium隨身碟的印刷電路板上的Samsung快閃記憶體 左 慧荣 Silicon Motion 主控 右 非揮發性記憶體已大量用於電子產品 尤其可攜帶性產品之中 如移動電話 數位相機 MP3等等 参见 编辑電腦記憶體 揮發性記憶體 ROM PROM EAROM EPROM EEPROM Flash memory注释 编辑 Average typical Average参考文献 编辑 A justification for this table can be found here 页面存档备份 存于互联网档案馆 取自 https zh wikipedia org w index php title 非揮發性記憶體 amp oldid 75183073, 维基百科，wiki，书籍，书籍，图书馆，
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