生平 编辑 舛岡富士雄於1943年在日本 群馬縣 高崎市 誕生。群馬縣立高崎高等学校畢業，日本東北大學 工學部畢業後進入「半導體先生」西澤潤一 的研究室。1971年取得工學博士（東北大學）並加入東芝公司 ，開發SAMOS記憶體。他對非揮發性記憶體 的點子有高度興趣，這是一種在電源關閉後，還能保存資料的記憶體。他在1980年發明NOR型快閃記憶體 ，1986年發明NAND型快閃記憶體，推動東芝成為世界半導體 產業的巨頭，徹底改寫人類資訊時代 的面貌。
舛岡在1994年返回擔母校東北大学任教，1996年成為東北大学電気通信研究所教授。2004年起擔任Unisantis公司電子首席技術官。[2] Surrounding Gate Transistor
專利訴訟 编辑 在很長一段時間中，東芝 公司不承認NOR型快閃記憶體 是舛岡富士雄的發明，直到電機電子工程師學會 （IEEE）在1997年授予舛岡IEEE Morris N. Liebmann紀念獎後才改口。2006年舛岡起訴東芝，索賠10億日元，最後達成和解得到8700萬日元（合758,000美元）。
榮譽 编辑 1997年 - IEEE Morris N. Liebmann 纪念奖 [3] 2007年 - 紫綬褒章 2013年 - 文化功勞者 2016年 - 瑞寶重光章 2018年 - 本田獎 主要論文 编辑 K Hieda, F Horiguchi, F Masuoka. "High performance CMOS surrounding gate transistor (SGT) for ultra high density LSIs." Electron Devices Meeting, 1988. IEDM'88. Technical Digest., International. IEEE, 1988. A Nitayama, F Horiguchi, F Masuoka. "A surrounding gate transistor (SGT) cell for 64/256 Mbit DRAMs." Electron Devices Meeting, 1989. IEDM'89. Technical Digest., International. IEEE, 1989. K Hieda, F Horiguchi, F Masuoka. "Impact of surrounding gate transistor (SGT) for ultra-high-density LSI's." IEEE Transactions on Electron Devices 38.3 (1991): 573-578. K Hieda, F Horiguchi, F Masuoka . "Multi-pillar surrounding gate transistor (M-SGT) for compact and high-speed circuits." IEEE Transactions on Electron Devices 38.3 (1991): 579-583. F Horiguchi, K Ohuchi, F Masuoka. "A novel circuit technology with surrounding gate transistors (SGT's) for ultra high density DRAM's." IEEE Journal of Solid-State Circuits 30.9 (1995): 960-971. 相關條目 编辑 參考 编辑 ^ Fulford, Benjamin. Unsung hero. Forbes. 24 June 2002 [2008-03-18 ] . （原始内容于2018-10-28）. ^ . [2013-06-16 ] . （原始内容存档于2007-02-22）. ^ IEEE Morris N. Liebmann Memorial Award Recipients. [2008-05-16 ] . （原始内容于2008-10-08）. 外部連結 编辑 （英文） Unsung hero （页面存档备份，存于互联网档案馆 ） (Forbes profile article)（日語） （日語） インタビュー記事 舛岡富士夫教授「日本発の三次元半導体で歴史を創る」 （页面存档备份，存于互联网档案馆 ）
舛岡富士雄, 日语, 舛岡, 富士雄, ますおか, ふじお, masuoka, fujio, 1943年5月8日, 日本電子工程學家, 日本東北大學名譽教授, 快閃記憶體的發明者, 紫綬褒章, 瑞寶重光章表彰, 文化功勞者, 出生, 1943, 1943年5月8日, 80歲, 日本群馬縣高崎市居住地日本国籍, 日本母校東北大學知名于發明快閃記憶體奖项ieee, morris, liebmann紀念獎, 英语, ieee, morris, liebmann, memorial, award, 1997, 紫綬褒章, . 舛岡富士雄 日语 舛岡 富士雄 ますおか ふじお Masuoka Fujio 1943年5月8日 日本電子工程學家 日本東北大學名譽教授 1 快閃記憶體的發明者 紫綬褒章 瑞寶重光章表彰 文化功勞者 舛岡富士雄出生 1943 05 08 1943年5月8日 80歲 日本群馬縣高崎市居住地日本国籍 日本母校東北大學知名于發明快閃記憶體奖项IEEE Morris N Liebmann紀念獎 英语 IEEE Morris N Liebmann Memorial Award 1997 紫綬褒章 2007 文化功勞者 2013 瑞寶重光章 2016 科学生涯研究领域電子學 半導體机构東芝東北大學Unisantis公司博士導師西澤潤一日語寫法日語原文舛岡 富士雄假名ますおか ふじお平文式罗马字Masuoka Fujio 目录 1 生平 2 專利訴訟 3 榮譽 4 主要論文 5 相關條目 6 參考 7 外部連結生平 编辑舛岡富士雄於1943年在日本群馬縣高崎市誕生 群馬縣立高崎高等学校畢業 日本東北大學工學部畢業後進入 半導體先生 西澤潤一的研究室 1971年取得工學博士 東北大學 並加入東芝公司 開發SAMOS記憶體 他對非揮發性記憶體的點子有高度興趣 這是一種在電源關閉後 還能保存資料的記憶體 他在1980年發明NOR型快閃記憶體 1986年發明NAND型快閃記憶體 推動東芝成為世界半導體產業的巨頭 徹底改寫人類資訊時代的面貌 舛岡在1994年返回擔母校東北大学任教 1996年成為東北大学電気通信研究所教授 2004年起擔任Unisantis公司電子首席技術官 2 繼續研究三維構造半導體Surrounding Gate Transistor 日语 Surrounding Gate Transistor 技術 專利訴訟 编辑在很長一段時間中 東芝公司不承認NOR型快閃記憶體是舛岡富士雄的發明 直到電機電子工程師學會 IEEE 在1997年授予舛岡IEEE Morris N Liebmann紀念獎後才改口 2006年舛岡起訴東芝 索賠10億日元 最後達成和解得到8700萬日元 合758 000美元 榮譽 编辑1997年 IEEE Morris N Liebmann 纪念奖 英语 IEEE Morris N Liebmann Memorial Award 3 2007年 紫綬褒章 2013年 文化功勞者 2016年 瑞寶重光章 2018年 本田獎 日语 本田賞 主要論文 编辑K Hieda F Horiguchi F Masuoka High performance CMOS surrounding gate transistor SGT for ultra high density LSIs Electron Devices Meeting 1988 IEDM 88 Technical Digest International IEEE 1988 A Nitayama F Horiguchi F Masuoka A surrounding gate transistor SGT cell for 64 256 Mbit DRAMs Electron Devices Meeting 1989 IEDM 89 Technical Digest International IEEE 1989 K Hieda F Horiguchi F Masuoka Impact of surrounding gate transistor SGT for ultra high density LSI s IEEE Transactions on Electron Devices 38 3 1991 573 578 K Hieda F Horiguchi F Masuoka Multi pillar surrounding gate transistor M SGT for compact and high speed circuits IEEE Transactions on Electron Devices 38 3 1991 579 583 F Horiguchi K Ohuchi F Masuoka A novel circuit technology with surrounding gate transistors SGT s for ultra high density DRAM s IEEE Journal of Solid State Circuits 30 9 1995 960 971 相關條目 编辑西澤潤一 快閃記憶體 環繞式閘極半導體 日语 Surrounding Gate Transistor 參考 编辑 Fulford Benjamin Unsung hero Forbes 24 June 2002 2008 03 18 原始内容存档于2018 10 28 Unisantis Electronics Company Profile 2013 06 16 原始内容存档于2007 02 22 IEEE Morris N Liebmann Memorial Award Recipients 2008 05 16 原始内容存档于2008 10 08 外部連結 编辑 英文 Unsung hero 页面存档备份 存于互联网档案馆 Forbes profile article 日語 UNISANTIS Electronics Japan Ltd 日語 インタビュー記事 舛岡富士夫教授 日本発の三次元半導体で歴史を創る 页面存档备份 存于互联网档案馆 取自 https zh wikipedia org w index php title 舛岡富士雄 amp oldid 72708511, 维基百科，wiki ，书籍，书籍，图书馆，
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