威廉·加德納·普凡（William Gardner Pfann，暱稱"比爾"（Bill）[1]，1917年10月27日－1982年10月22日）是貝爾實驗室的發明家與材料科學家。普凡因開發半導體產業（英语：Semiconductor industry）用的區域熔煉技術而赫赫有名。貝爾實驗室的官方歷史這麼記載道："由威廉·加德納·普凡開發的區域精煉是劃時代的發明...它是讓鍺與矽中的雜質能被吾人控制的重大貢獻"（Timely invention of zone refining by W.G.Pfann ... was a major contribution that helped bring the impurities in germanium and silicon under control.）。[2]
在貝爾實驗室，普凡加入威廉·肖克利意圖以半導體取代真空管的工作。本來他們採用鍺，1945年用鍺做出了高逆壓整流器。[3]:124 普凡想出了最早的一種點接式電晶體（英语：Point-contact transistor），他改良了西方電氣（英语：Western Electric）的1N26型點接二極體使其成為三極放大器，後來被稱為A型電晶體（Type A transistor）。[4]
突破
晚年
1973年，普凡成為第一位摩爾傑出成就固態科學科技獎章（英语：Gordon E. Moore Medal for Outstanding Achievement in Solid State Science and Technology）的受獎者。 1975年，普凡被推選為美國國家科學院院士。1976年獲美國物理聯合會授予麥克格羅迪新材料獎（英语：James C. McGroddy Prize for New Materials）。
^S. Millman editor (1983) A History of Engineering and Science in the Bell System, volume 4: Physical Sciences, p 580, 貝爾實驗室ISBN0-932764-03-7
^ 3.03.1Riordan, Michael; Lillian Hoddeson. Crystal fire : the birth of the information age 1st. New York: Norton. 1997. ISBN 0-393-04124-7.
^F.M. Smits (1985) A History of Engineering and Science in the Bell System, volume 6: Electronics Technology, p 12, Bell Labs, ISBN0-932764-07-X
參考文獻
Kenneth A. Jackson, Harry J. Leamy & Richard S. Wagner (February 1983) "William G. Pfann", 今日物理（英语：Physics Today） 36:88.
二月 20, 2023
威廉, 加德納, 普凡, 此條目需要擴充, 2017年10月22日, 请協助改善这篇條目, 更進一步的信息可能會在討論頁或扩充请求中找到, 请在擴充條目後將此模板移除, william, gardner, pfann, 暱稱, 比爾, bill, 1917年10月27日, 1982年10月22日, 是貝爾實驗室的發明家與材料科學家, 普凡因開發半導體產業, 英语, semiconductor, industry, 用的區域熔煉技術而赫赫有名, 貝爾實驗室的官方歷史這麼記載道, 由開發的區域精煉是劃時代的發明, 它是. 此條目需要擴充 2017年10月22日 请協助改善这篇條目 更進一步的信息可能會在討論頁或扩充请求中找到 请在擴充條目後將此模板移除 威廉 加德納 普凡 William Gardner Pfann 暱稱 比爾 Bill 1 1917年10月27日 1982年10月22日 是貝爾實驗室的發明家與材料科學家 普凡因開發半導體產業 英语 Semiconductor industry 用的區域熔煉技術而赫赫有名 貝爾實驗室的官方歷史這麼記載道 由威廉 加德納 普凡開發的區域精煉是劃時代的發明 它是讓鍺與矽中的雜質能被吾人控制的重大貢獻 Timely invention of zone refining by W G Pfann was a major contribution that helped bring the impurities in germanium and silicon under control 2 目录 1 早年 2 突破 3 晚年 4 註記 5 參考文獻早年 编辑普凡生於紐約市布魯克林 1935年普凡年僅18歲就展現了對材料科學的才能 沒有大學學歷就進入了貝爾實驗室的化學研究部門 後來到柯柏聯盟學院的夜校上學 才於1940年取得化學工程的學士學位 3 198在貝爾實驗室 普凡加入威廉 肖克利意圖以半導體取代真空管的工作 本來他們採用鍺 1945年用鍺做出了高逆壓整流器 3 124 普凡想出了最早的一種點接式電晶體 英语 Point contact transistor 他改良了西方電氣 英语 Western Electric 的1N26型點接二極體使其成為三極放大器 後來被稱為A型電晶體 Type A transistor 4 突破 编辑晚年 编辑1973年 普凡成為第一位摩爾傑出成就固態科學科技獎章 英语 Gordon E Moore Medal for Outstanding Achievement in Solid State Science and Technology 的受獎者 1975年 普凡被推選為美國國家科學院院士 1976年獲美國物理聯合會授予麥克格羅迪新材料獎 英语 James C McGroddy Prize for New Materials 註記 编辑 存档副本 2017 10 22 原始内容存档于2013 07 09 S Millman editor 1983 A History of Engineering and Science in the Bell System volume 4 Physical Sciences p 580 貝爾實驗室 ISBN 0 932764 03 7 3 0 3 1 Riordan Michael Lillian Hoddeson Crystal fire the birth of the information age 1st New York Norton 1997 ISBN 0 393 04124 7 F M Smits 1985 A History of Engineering and Science in the Bell System volume 6 Electronics Technology p 12 Bell Labs ISBN 0 932764 07 X參考文獻 编辑Kenneth A Jackson Harry J Leamy amp Richard S Wagner February 1983 William G Pfann 今日物理 英语 Physics Today 36 88 取自 https zh wikipedia org w index php title 威廉 加德納 普凡 amp oldid 68118394, 维基百科，wiki，书籍，书籍，图书馆，
