此條目没有列出任何参考或来源。 (2010年9月28日)
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可編程金屬化單元（英語：programmable metallization cell，縮寫為PMC），一種新的非揮發性記憶體技術，由亞利桑那州立大學開發，這項專利目前已授權並轉移給Axon Technologies公司。它有可能取代快閃記憶體。
英飛凌在2004年取得PMC技術的授權，並用來開發導電橋接隨機存取記憶體(conductive-bridging RAM，CBRAM)，NEC稱為Nanobridge，Sony稱其為electrolytic memory。但這些公司都沒有做出實際應用成果。
目前最主要推動 CBRAM 裝置的公司是Adesto Technologies，最快有可能在2011年第一季推出首款 CBRAM 樣品。
可編程金屬化單元, 此條目没有列出任何参考或来源, 2010年9月28日, 維基百科所有的內容都應該可供查證, 请协助補充可靠来源以改善这篇条目, 无法查证的內容可能會因為異議提出而被移除, 英語, programmable, metallization, cell, 縮寫為pmc, 一種新的非揮發性記憶體技術, 由亞利桑那州立大學開發, 這項專利目前已授權並轉移給axon, technologies公司, 它有可能取代快閃記憶體, 英飛凌在2004年取得pmc技術的授權, 並用來開發導電橋接隨機存取記憶體, co. 此條目没有列出任何参考或来源 2010年9月28日 維基百科所有的內容都應該可供查證 请协助補充可靠来源以改善这篇条目 无法查证的內容可能會因為異議提出而被移除 可編程金屬化單元 英語 programmable metallization cell 縮寫為PMC 一種新的非揮發性記憶體技術 由亞利桑那州立大學開發 這項專利目前已授權並轉移給Axon Technologies公司 它有可能取代快閃記憶體 英飛凌在2004年取得PMC技術的授權 並用來開發導電橋接隨機存取記憶體 conductive bridging RAM CBRAM NEC稱為Nanobridge Sony稱其為electrolytic memory 但這些公司都沒有做出實際應用成果 目前最主要推動 CBRAM 裝置的公司是Adesto Technologies 最快有可能在2011年第一季推出首款 CBRAM 樣品 这是一篇與電腦儲存裝置相關的小作品 你可以通过编辑或修订扩充其内容 查论编 取自 https zh wikipedia org w index php title 可編程金屬化單元 amp oldid 25573243, 维基百科，wiki，书籍，书籍，图书馆，
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