三氟化氮（NF3）是卤化氮中最稳定的无机化合物，可在钙的催化下由氨气与氟气制成。[1] 它可以用作氟化氢激光器的氧化剂，半导体、液晶和薄膜太阳能电池生产过程中的蚀刻剂。曾被试做火箭燃料。[2] 但由于三氟化氮属于温室气体，能加剧温室效应，因此有人认为应该限制这种化合物的使用。[3]
三氟化氮在半導體及TFT-LCD製造的薄膜製程中扮演「清潔劑」的角色，不過這類清潔劑是氣態，而非液態。
在半導體中，薄膜製程的主要設備是「化學氣相沉積」（CVD）機台，會在晶圓片上長出薄膜。薄膜的成份有可能是矽、二氧化矽或其他金屬材料，但這些材料不僅會附著在晶片上，也附著在反應室內的牆壁上，內牆上的二氧化矽累積至相當數量，就會在反應室內形成微塵粒子（Particle），影響晶圓片的良率。
因此每台CVD機台在處理過規定數量的晶圓片後，就要使用含氟的氣體清洗，以去除內壁上的矽化物質。不過NF3與CF4、C2F6等氣體都屬於多氟碳化物，是造成溫室效應的來源之一。半導體廠為了降低排氣對溫室效應的影響，在排放含氟廢氣前，會以高溫（攝氏700、800度才進行）將氣體由有機轉分解為無機，才不會破壞臭氧層。
来源 - ^ 三氟化氮. [2009-12-20]. （原始内容于2014-05-06）.
- ^ 氟化物及产业发展[永久失效連結]
- ^ 最新观测：三氟化氮应进温室气体“黑名单”. [2009-12-20]. （原始内容于2014-05-06）.
三氟化氮, 是卤化氮中最稳定的无机化合物, 可在钙的催化下由氨气与氟气制成, 它可以用作氟化氢激光器的氧化剂, 半导体, 液晶和薄膜太阳能电池生产过程中的蚀刻剂, 曾被试做火箭燃料, 但由于属于温室气体, 能加剧温室效应, 因此有人认为应该限制这种化合物的使用, iupac名nitrogen, trifluoride别名, 氟化氮三氟胺三氟氨识别cas号, 7783, pubchem, 24553un编号, 2451rtecs, qx1925000性质化学式, nf3摩尔质量, 0019, 外观, 无色气体密度, . 三氟化氮 NF3 是卤化氮中最稳定的无机化合物 可在钙的催化下由氨气与氟气制成 1 它可以用作氟化氢激光器的氧化剂 半导体 液晶和薄膜太阳能电池生产过程中的蚀刻剂 曾被试做火箭燃料 2 但由于三氟化氮属于温室气体 能加剧温室效应 因此有人认为应该限制这种化合物的使用 3 三氟化氮IUPAC名Nitrogen trifluoride别名 氟化氮三氟胺三氟氨识别CAS号 7783 54 2 PubChem 24553UN编号 2451RTECS QX1925000性质化学式 NF3摩尔质量 71 0019 g mol 外观 无色气体密度 3 003 kg m3 1 atm 15 C 1 885 g cm3 沸点时 液态 熔点 207 15 C 66 K 沸点 129 1 C 144 K 溶解性 水 0 021 vol vol 20 C 1 bar 结构分子构型 三角锥偶极矩 0 234 D危险性MSDS Air Liquide MSDS欧盟编号 未列出NFPA 704 0 1 0 OX闪点 不易燃若非注明 所有数据均出自标准状态 25 100 kPa 下 三氟化氮在半導體及TFT LCD製造的薄膜製程中扮演 清潔劑 的角色 不過這類清潔劑是氣態 而非液態 在半導體中 薄膜製程的主要設備是 化學氣相沉積 CVD 機台 會在晶圓片上長出薄膜 薄膜的成份有可能是矽 二氧化矽或其他金屬材料 但這些材料不僅會附著在晶片上 也附著在反應室內的牆壁上 內牆上的二氧化矽累積至相當數量 就會在反應室內形成微塵粒子 Particle 影響晶圓片的良率 因此每台CVD機台在處理過規定數量的晶圓片後 就要使用含氟的氣體清洗 以去除內壁上的矽化物質 不過NF3與CF4 C2F6等氣體都屬於多氟碳化物 是造成溫室效應的來源之一 半導體廠為了降低排氣對溫室效應的影響 在排放含氟廢氣前 會以高溫 攝氏700 800度才進行 將氣體由有機轉分解為無機 才不會破壞臭氧層 来源 编辑 三氟化氮 2009 12 20 原始内容存档于2014 05 06 氟化物及产业发展 永久失效連結 最新观测 三氟化氮应进温室气体 黑名单 2009 12 20 原始内容存档于2014 05 06 取自 https zh wikipedia org w index php title 三氟化氮 amp oldid 70792059, 维基百科，wiki，书籍，书籍，图书馆，
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