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電子注入增強柵晶體管

電子注入增強柵晶體管(Injection enhanced gate transistor),簡稱IEGT,是一种结合了GTOIGBT元件優點的電子半導體器件,具有功率大、體積小、效率高、耐壓值高、節能性高等特性。

IEGT最先由日本東芝於1993年所研發,並以注入式增強結構(Injection Enhanced,簡稱IE)技術,取得IEGT器件開發與生產專利,也使得東芝成為IEGT器件的主要生產與供應商。

相關應用 编辑

外部連結 编辑

  • 【東芝IEGT】東急5080系5181・5183・5186F走行音
  • 【東芝IEGT】東急6000系新デハ6300形(7連化増結車)走行音

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