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硒化铋

硒化铋(Bi2Se3)是一种灰色粉末,它是一种半导体,为热电材料。[4]具有完美化学计量比的硒化铋是半导体,带宽为0.3 eV,其硒空穴是电子授体,化学性质类似半金属[5]在硒化铋中,观察到了拓扑保护表面态[6]它是现在科学研究的主题。[7]

硒化铋
IUPAC名
selenoxobismuth, selanylidenebismuth [1]
识别
CAS号 12068-69-8  
PubChem 6379269
SMILES
EINECS 235-104-7
性质
化学式 Bi2Se3
摩尔质量 654.8[2] g·mol⁻¹
外观 暗灰色固体[3]
密度 6.82 g/cm3[2]
熔点 710 °C(983 K)
溶解性 不溶
溶解性 不溶于有机溶剂
可溶于强酸[2]
结构
晶体结构 三方晶系
热力学
ΔfHm298K -140 kJ/mol
危险性
主要危害 有毒[3]
NFPA 704
0
2
0
 
若非注明,所有数据均出自一般条件(25 ℃,100 kPa)下。

参见

  • 热电材料

参考文献

  1. ^ Bismuth(III) selenide - PubChem Public Chemical Database. Pubchem.ncbi.nlm.nih.gov. 2011-10-21 [2011-11-01]. 
  2. ^ 2.0 2.1 2.2 bismuth selenide | Bi2Se3. ChemSpider. [2011-11-01]. (原始内容于2015-07-03). 
  3. ^ 3.0 3.1 . Espimetals.com. [2011-11-01]. (原始内容存档于2011-09-08). 
  4. ^ Mishra, S K; S Satpathy; O Jepsen. Electronic structure and thermoelectric properties of bismuth telluride and bismuth selenide. Journal of Physics: Condensed Matter. 1997-01-13, 9: 461–470 [2011-11-01]. ISSN 0953-8984. doi:10.1088/0953-8984/9/2/014. (原始内容于2014-06-24). 
  5. ^ Hor, Y. S.; A. Richardella; P. Roushan; Y. Xia; J. G. Checkelsky; A. Yazdani; M. Z. Hasan; N. P. Ong; R. J. Cava. p-type Bi_{2}Se_{3} for topological insulator and low-temperature thermoelectric applications. Physical Review B. 2009-05-21, 79 (19): 195208 [2011-11-01]. doi:10.1103/PhysRevB.79.195208. 
  6. ^ Hsieh, D.; Y. Xia; D. Qian; L. Wray; J. H. Dil; F. Meier; J. Osterwalder; L. Patthey; J. G. Checkelsky; N. P. Ong; A. V. Fedorov; H. Lin; A. Bansil; D. Grauer; Y. S. Hor; R. J. Cava; M. Z. Hasan. A tunable topological insulator in the spin helical Dirac transport regime. Nature. 2009, 460 (7259): 1101–1105 [2010-03-25]. ISSN 0028-0836. PMID 19620959. doi:10.1038/nature08234. 
  7. ^ Brumfield, Geoff. Topological insulators: Star material : Nature News. Nature. 2010-07-14, 466: 310–311 [2010-08-06]. PMID 20631773. doi:10.1038/466310a. (原始内容于2017-10-12). 

硒化铋, bi2se3, 是一种灰色粉末, 它是一种半导体, 为热电材料, 具有完美化学计量比的是半导体, 带宽为0, 其硒空穴是电子授体, 化学性质类似半金属, 在中, 观察到了拓扑保护表面态, 它是现在科学研究的主题, iupac名selenoxobismuth, selanylidenebismuth, 识别cas号, 12068, pubchem, 6379269smiles, einecs, 7性质化学式, bi2se3摩尔质量, 外观, 暗灰色固体, 密度, 熔点, 溶解性, 不溶溶解性, 不溶于有机溶. 硒化铋 Bi2Se3 是一种灰色粉末 它是一种半导体 为热电材料 4 具有完美化学计量比的硒化铋是半导体 带宽为0 3 eV 其硒空穴是电子授体 化学性质类似半金属 5 在硒化铋中 观察到了拓扑保护表面态 6 它是现在科学研究的主题 7 硒化铋IUPAC名selenoxobismuth selanylidenebismuth 1 识别CAS号 12068 69 8 PubChem 6379269SMILES Se 2 Se 2 Se 2 Bi 3 Bi 3 EINECS 235 104 7性质化学式 Bi2Se3摩尔质量 654 8 2 g mol 外观 暗灰色固体 3 密度 6 82 g cm3 2 熔点 710 C 983 K 溶解性 水 不溶溶解性 不溶于有机溶剂可溶于强酸 2 结构晶体结构 三方晶系热力学DfHm 298K 140 kJ mol危险性主要危害 有毒 3 NFPA 704 0 2 0 若非注明 所有数据均出自一般条件 25 100 kPa 下 参见 编辑热电材料参考文献 编辑 Bismuth III selenide PubChem Public Chemical Database Pubchem ncbi nlm nih gov 2011 10 21 2011 11 01 2 0 2 1 2 2 bismuth selenide Bi2Se3 ChemSpider 2011 11 01 原始内容存档于2015 07 03 3 0 3 1 Bismuth Selenide Bismuth Selenide Espimetals com 2011 11 01 原始内容存档于2011 09 08 Mishra S K S Satpathy O Jepsen Electronic structure and thermoelectric properties of bismuth telluride and bismuth selenide Journal of Physics Condensed Matter 1997 01 13 9 461 470 2011 11 01 ISSN 0953 8984 doi 10 1088 0953 8984 9 2 014 原始内容存档于2014 06 24 Hor Y S A Richardella P Roushan Y Xia J G Checkelsky A Yazdani M Z Hasan N P Ong R J Cava p type Bi 2 Se 3 for topological insulator and low temperature thermoelectric applications Physical Review B 2009 05 21 79 19 195208 2011 11 01 doi 10 1103 PhysRevB 79 195208 Hsieh D Y Xia D Qian L Wray J H Dil F Meier J Osterwalder L Patthey J G Checkelsky N P Ong A V Fedorov H Lin A Bansil D Grauer Y S Hor R J Cava M Z Hasan A tunable topological insulator in the spin helical Dirac transport regime Nature 2009 460 7259 1101 1105 2010 03 25 ISSN 0028 0836 PMID 19620959 doi 10 1038 nature08234 Brumfield Geoff Topological insulators Star material Nature News Nature 2010 07 14 466 310 311 2010 08 06 PMID 20631773 doi 10 1038 466310a 原始内容存档于2017 10 12 取自 https zh wikipedia org w index php title 硒化铋 amp oldid 71870043, 维基百科,wiki,书籍,书籍,图书馆,

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