硅酸铪

硅酸铪是铪的硅酸盐，化学式HfSiO₄。

硅酸铪
IUPAC名 Hafnium(IV) silicate
系统名 Hafnium(4+) silicate
识别
CAS号	13870-13-8 ^N
PubChem	17979268
ChemSpider	16470992
SMILES	[Hf+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-]
性质
化学式	HfO4Si
摩尔质量	270.57 g·mol^−1
外观	四方晶体^[1]
密度	7.0 g/cm^3
熔点	2758 °C（3031 K）（^[1]）
若非注明，所有数据均出自标准状态（25 ℃，100 kPa）下。

在现代半导体元件中，可以使用由原子层沉积、化学气相沉积或MOCVD生长的硅酸铪和硅酸锆薄膜，作为高κ电介质替换二氧化钛^[2]。二氧化铪中的硅增大了能隙，同时降低相对电容率。此外，它还提高了非晶膜的结晶化温度，并进一步增强了材料在高温下与硅的热稳定性^[3]。有时会向硅酸铪中加入氮以提高热稳定性和设备的电性能。

参考資料

1. Haynes, William M. CRC handbook of chemistry and physics: a ready-reference book of chemical and physical data 92nd. Boca Raton, FL.: CRC Press（英语：CRC Press）. 2011: 4-66. ISBN 978-1-4398-5511-9. OCLC 730008390 （英语）. 
2. Mitrovic, I.Z.; Buiu, O.; Hall, S.; Bungey, C.; Wagner, T.; Davey, W.; Lu, Y. Electrical and structural properties of hafnium silicate thin films. Microelectronics Reliability. April 2007, 47 (4-5): 645–648 [2015-04-11]. doi:10.1016/j.microrel.2007.01.065. （原始内容于2015-09-24）. 
3. J.H. Choi; et al. Development of hafnium based high-k materials—A review. Materials Science and Engineering: R. 2011, 72 (6): 97–136 [2015-04-11]. doi:10.1016/j.mser.2010.12.001. （原始内容于2015-09-24）.  引文格式1维护：显式使用等标签 (link)