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浮体效应

浮体效应(英語:Floating body effect)是在SOI技术中实现的晶体管与体势(body potential)相关的效应。晶体管在绝缘体层上形成一个电容。这个电容上聚集的电荷可能会产生负面效应,例如,开启结构上的寄生晶体管和关态泄漏电流(off-state leakages),造成更高的电流消耗,以防动态随机存取存储器丢失信息。它也造成历史效应(英語:history effect),即晶体管与之前状态阈值电压有关的效应。在模拟电路器件中,浮体效应被称作扭结效应(英語:Kink effect)。

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浮体效应, 此條目需要精通或熟悉相关主题的编者参与及协助编辑, 2015年12月14日, 請邀請適合的人士改善本条目, 更多的細節與詳情請參见討論頁, 英語, floating, body, effect, 是在soi技术中实现的晶体管与体势, body, potential, 相关的效应, 晶体管在绝缘体层上形成一个电容, 这个电容上聚集的电荷可能会产生负面效应, 例如, 开启结构上的寄生晶体管和关态泄漏电流, state, leakages, 造成更高的电流消耗, 以防动态随机存取存储器丢失信息, 它也造成历史. 此條目需要精通或熟悉相关主题的编者参与及协助编辑 2015年12月14日 請邀請適合的人士改善本条目 更多的細節與詳情請參见討論頁 浮体效应 英語 Floating body effect 是在SOI技术中实现的晶体管与体势 body potential 相关的效应 晶体管在绝缘体层上形成一个电容 这个电容上聚集的电荷可能会产生负面效应 例如 开启结构上的寄生晶体管和关态泄漏电流 off state leakages 造成更高的电流消耗 以防动态随机存取存储器丢失信息 它也造成历史效应 英語 history effect 即晶体管与之前状态阈值电压有关的效应 在模拟电路器件中 浮体效应被称作扭结效应 英語 Kink effect 相关条目 编辑SOI 取自 https zh wikipedia org w index php title 浮体效应 amp oldid 38344822, 维基百科,wiki,书籍,书籍,图书馆,

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