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克爾效应

克爾效應(Kerr effect),也稱「二次電光效應」,是物質因響應外電場的作用而改變其折射率的一種效應。克爾效應與泡克耳斯效應不同,前者感應出的折射率改變與外電場平方成正比,後者則與外電場成線性關係;前者可以在液體或非晶物質出現,後者只出現於沒有對稱中心的晶體物質。克爾效應或多或少會出現在每一種物質,但在某些液體會比較顯著。這效應最先由蘇格蘭科学家約翰·克爾(John Kerr)在1878年發現。[1]

约翰·克尔

克爾效應又分為克爾電光效應與克爾光學效應。

克爾電光效應 编辑

克爾電光效應又稱為「直流克爾效應」。假設施加緩慢外電場於物質樣品,即在連結樣品兩端的電極之間施加電壓,在這影響下,樣品會變為具有雙折射性質,對於光波的偏振平面平行與垂直於外電場的兩種方向,會出現不同的折射率,其差值 

 

其中, 是光波的波長 是「克爾常數」, 是電場。

假設光波入射於樣品的方向垂直於外電場,則折射率的不同會使得這樣品的物理性質類似波片(waveplate)。假若置放物質於兩塊正交偏振片之間(請參閱條目偏光儀(polariscope)),當設定外電場為零之時,不會有任何光波透射過這兩塊正交偏振片;但當設定外電場為某最佳值之時,幾乎全部光波會透射過這兩塊正交偏振片。

某些極性液體,例如一硝基甲苯(C7H7NO2)、硝基苯(C6H5NO2),會展示出很大的克爾常數。「克爾盒」指的是裝滿了這種液體的小盒。因為克爾效應對於電場變化的響應速度很快,克爾盒時常被用來調制光波,頻率可高達10 GHz,可以用來製作電控光開關,在高速攝影、激光通訊方面很有用處,是未來光聯網的重要技術。[2];由於克爾效應相當微弱,典型的克爾盒需要電壓高達30 kV才能達到完全透明。泡克耳斯效應的工作電壓比這低很多。克爾盒的另一大缺點是製作材料硝基苯具有毒性。克爾盒光調制器也可以採用某些透明晶體為克爾效應材料,雖然他們的克爾常數較小。

在有些缺乏反演對稱性的介質裏,克爾效應通常會被更強勁的泡克耳斯效應屏蔽;但是,克爾效應仍舊存在,時常可以獨立地被探測到,不論泡克耳斯效應的貢獻有多強勁。[3]

克爾光學效應 编辑

克爾光學效應又稱為「交流克爾效應」。在克爾光學效應裏,光波本身的電場造成了折射率的改變,這改變與光波的局域輻照度有關。折射率的變化促成了自聚焦(self-focusing)、自調相(self-phase modulation)、調制不穩定性(modulational instability)的非線性光學效應,是克爾透鏡鎖模技術(Kerr-lens modelocking)的基礎機制。只有當光束非常強勁時,這效應才會變得很顯著,例如,激光所產生的激光束。

磁光克爾效應 编辑

在磁光克爾效應裏,從磁性物質反射出來的光波,其偏振平面會稍微偏轉。這效應與法拉第效應類似,在法拉第效應裏,透射光的偏振平面會稍微偏轉。

理論 编辑

直流克爾效應 编辑

介質裏,電極化向量 電場 的關係為[4]:12-13, 77-80

 

其中, 電常數 是介質的第n階電極化率張量

這是個張量公式。採用直角坐標系,x坐標、y坐標、z坐標分別以下標1、2、3代表,這公式表示為

 

在這公式的右手邊,第一項是介質的線式響應,所產生的電極化向量與電場成正比;第二項給出了泡克耳斯效應;第三項給出了直流克爾效應。對於展示出不可忽略的克爾效應的物質,第三項很重要。經過一番運算,第三項以方程式表示為[4]:77

 

在這公式裏,物理量右邊圓括號內的角頻率表示這物理量必須具有的角頻率數值,否則,整個乘積為零。第3階電極化率張量 有34=81個分量,假設介質為結構各向同性[註 1]則由於對稱性,只會有21 個非零分量,分為4種數值:

 
 
 
 

其中,下標   的數值可以是1、2或3,但是 

設想外電場 的方向為 

 

光波的的傳播方向為 ,光波的電場為

 

兩個電場合併為

 

則所有涉及到z-坐標的分量都可以被忽略,

將這電場代入第三項,可以得到電極化向量的第三項部分,其x-分量、y-分量分別為[4]:80

 
 

由於直流電場的作用,朝著x、y兩個方向的電極化向量造成了折射率不同,因此產生雙折射現象:

 

其中,  是偏振光的偏振平面與直流電場分別平行、垂直時傳播於介質的折射率, 是當沒有直流電場時傳播於介質的折射率。

因此,可以將介質的克爾常數定義為

 

其中, 是光波傳播於自由空間的波長。

交流克爾效應 编辑

在交流克爾效應裏,傳播於介質的光波,假若輻照度夠強勁,就可以自己提供調製電場,不需要施加外電場。對於這案例,假設偏振光的電場為

 

其中, 是光波的波幅。

將這公式代入偏振方程式,只取線性項與第三項,可以得到[4]:81-82

 

這像是個線性項和額外的非線性項總和在一起的電極化率:

 

由於折射率為

 

其中, 是線性折射率。

由於 ,應用泰勒展開,可以得到與輻射度有關的折射率:

 

其中, 是二次非線性折射率, 是光波的輻照度。

對於這光波傳播於介質的案例,折射率的變化與光波的輻照度成正比。

大多數介質的 相當微小,一般玻璃的 大約為10-20 m2 W-1[4]:83因此,光波的輻射度至少必須為1 GW cm-2才能使得折射率通過交流克爾效應產生顯著變化。

與輻射度有關的折射率是一種非常重要的三次過程,又分為空間調製與時間調製兩種過程。空間調製過程可以改變光束的傳播。時間調製可以改變光波的波幅與相位結構。

藉著空間調製折射率,傳播於介質的強勁光束會改變這介質的折射率,這改變的圖樣模仿光束的橫向輻照度圖樣。例如,高斯光束會造成高斯折射率剖面,類似漸變折射率透鏡(gradient-index lens)所產生的效應;越接近光束的中間區域,折射率越高;越接近邊緣區域,折射率越低。由於介質折射率被改變,使得光束在介質內自動聚焦,這現象稱為自聚焦(self-focus)。

由於光束的自聚焦,峰值輻照度會增加,因此又更加自聚焦。假若這效應贏過了對抗的衍射,則自聚焦會成為主導物理機制,光束會變得越來越狹窄,這時,假若操作不當,則會造成光束塌縮災難,從而損毀介質。

自聚焦與衍射彼此對抗抵銷,這意味著,對於每一種介質,存在一個閾值,只要輻照度不超過這閾值,就不會發生損毀。但是,另一種稱為「小尺寸自聚焦」的現象,會造成局域熱點與光束絲狀形成。為了避免這類問題出現於激光系統,通常,會先使用空間過濾器將光束波前的粗燥部分加以平滑。[4]:83-84

相關條目 编辑

註釋 编辑

  1. ^ 注意到兩種不同的各向同性,一種是晶體的光學各向同性,另一種是氣體、液體、非晶體固體的結構各向同性

參考文獻 编辑

  1. ^ Weinberger, P. John Kerr and his Effects Found in 1877 and 1878 (PDF). Philosophical Magazine Letters. 2008, 88 (12): 897–907 [2014-05-20]. Bibcode:2008PMagL..88..897W. doi:10.1080/09500830802526604. (原始内容 (PDF)于2020-09-20). 
  2. ^ 克尔效应与光开关,肖胜利 朱锋 郑好望 ,《现代物理知识》 2006年01期
  3. ^ Melnichuk, Mike; Wood, Lowell T. Direct Kerr electro-optic effect in noncentrosymmetric materials. Phys. Rev. A. 2010, 82: 013821. Bibcode:2010PhRvA..82a3821M. doi:10.1103/PhysRevA.82.013821. 
  4. ^ 4.0 4.1 4.2 4.3 4.4 4.5 Geoffrey New. Introduction to Nonlinear Optics. Cambridge University Press. ISBN 978-1-139-50076-0. 

克爾效应, 此條目介紹的是克爾非線性光學效應, 关于同樣名字的磁場光學現象, 请见, 磁光克爾效應, 克爾效應, kerr, effect, 也稱, 二次電光效應, 是物質因響應外電場的作用而改變其折射率的一種效應, 克爾效應與泡克耳斯效應不同, 前者感應出的折射率改變與外電場平方成正比, 後者則與外電場成線性關係, 前者可以在液體或非晶物質出現, 後者只出現於沒有對稱中心的晶體物質, 克爾效應或多或少會出現在每一種物質, 但在某些液體會比較顯著, 這效應最先由蘇格蘭科学家約翰, 克爾, john, kerr, 在. 此條目介紹的是克爾非線性光學效應 关于同樣名字的磁場光學現象 请见 磁光克爾效應 克爾效應 Kerr effect 也稱 二次電光效應 是物質因響應外電場的作用而改變其折射率的一種效應 克爾效應與泡克耳斯效應不同 前者感應出的折射率改變與外電場平方成正比 後者則與外電場成線性關係 前者可以在液體或非晶物質出現 後者只出現於沒有對稱中心的晶體物質 克爾效應或多或少會出現在每一種物質 但在某些液體會比較顯著 這效應最先由蘇格蘭科学家約翰 克爾 John Kerr 在1878年發現 1 约翰 克尔克爾效應又分為克爾電光效應與克爾光學效應 目录 1 克爾電光效應 2 克爾光學效應 3 磁光克爾效應 4 理論 4 1 直流克爾效應 4 2 交流克爾效應 5 相關條目 6 註釋 7 參考文獻克爾電光效應 编辑克爾電光效應又稱為 直流克爾效應 假設施加緩慢外電場於物質樣品 即在連結樣品兩端的電極之間施加電壓 在這影響下 樣品會變為具有雙折射性質 對於光波的偏振平面平行與垂直於外電場的兩種方向 會出現不同的折射率 其差值D n displaystyle Delta n nbsp 為 D n l K E 2 displaystyle Delta n lambda KE 2 nbsp 其中 l displaystyle lambda nbsp 是光波的波長 K displaystyle K nbsp 是 克爾常數 E displaystyle E nbsp 是電場 假設光波入射於樣品的方向垂直於外電場 則折射率的不同會使得這樣品的物理性質類似波片 waveplate 假若置放物質於兩塊正交偏振片之間 請參閱條目偏光儀 polariscope 當設定外電場為零之時 不會有任何光波透射過這兩塊正交偏振片 但當設定外電場為某最佳值之時 幾乎全部光波會透射過這兩塊正交偏振片 某些極性液體 例如一硝基甲苯 C7H7NO2 硝基苯 C6H5NO2 會展示出很大的克爾常數 克爾盒 指的是裝滿了這種液體的小盒 因為克爾效應對於電場變化的響應速度很快 克爾盒時常被用來調制光波 頻率可高達10 GHz 可以用來製作電控光開關 在高速攝影 激光通訊方面很有用處 是未來光聯網的重要技術 2 由於克爾效應相當微弱 典型的克爾盒需要電壓高達30 kV才能達到完全透明 泡克耳斯效應的工作電壓比這低很多 克爾盒的另一大缺點是製作材料硝基苯具有毒性 克爾盒光調制器也可以採用某些透明晶體為克爾效應材料 雖然他們的克爾常數較小 在有些缺乏反演對稱性的介質裏 克爾效應通常會被更強勁的泡克耳斯效應屏蔽 但是 克爾效應仍舊存在 時常可以獨立地被探測到 不論泡克耳斯效應的貢獻有多強勁 3 克爾光學效應 编辑克爾光學效應又稱為 交流克爾效應 在克爾光學效應裏 光波本身的電場造成了折射率的改變 這改變與光波的局域輻照度有關 折射率的變化促成了自聚焦 self focusing 自調相 self phase modulation 調制不穩定性 modulational instability 的非線性光學效應 是克爾透鏡鎖模技術 Kerr lens modelocking 的基礎機制 只有當光束非常強勁時 這效應才會變得很顯著 例如 激光所產生的激光束 磁光克爾效應 编辑主条目 磁光克爾效應 在磁光克爾效應裏 從磁性物質反射出來的光波 其偏振平面會稍微偏轉 這效應與法拉第效應類似 在法拉第效應裏 透射光的偏振平面會稍微偏轉 理論 编辑直流克爾效應 编辑 在介質裏 電極化向量P displaystyle mathbf P nbsp 與電場E displaystyle mathbf E nbsp 的關係為 4 12 13 77 80 P e 0 x 1 E e 0 x 2 E E e 0 x 3 E E E displaystyle mathbf P varepsilon 0 boldsymbol chi 1 mathbf E varepsilon 0 boldsymbol chi 2 mathbf EE varepsilon 0 boldsymbol chi 3 mathbf EEE cdots nbsp 其中 e 0 displaystyle varepsilon 0 nbsp 是電常數 x n displaystyle boldsymbol chi n nbsp 是介質的第n階電極化率張量 這是個張量公式 採用直角坐標系 x坐標 y坐標 z坐標分別以下標1 2 3代表 這公式表示為 P i e 0 j 1 3 x i j 1 E j e 0 j 1 3 k 1 3 x i j k 2 E j E k e 0 j 1 3 k 1 3 l 1 3 x i j k l 3 E j E k E l displaystyle P i varepsilon 0 sum j 1 3 chi ij 1 E j varepsilon 0 sum j 1 3 sum k 1 3 chi ijk 2 E j E k varepsilon 0 sum j 1 3 sum k 1 3 sum l 1 3 chi ijkl 3 E j E k E l cdots nbsp 在這公式的右手邊 第一項是介質的線式響應 所產生的電極化向量與電場成正比 第二項給出了泡克耳斯效應 第三項給出了直流克爾效應 對於展示出不可忽略的克爾效應的物質 第三項很重要 經過一番運算 第三項以方程式表示為 4 77 P i w 3 e 0 j 1 3 k 1 3 l 1 3 x i j k l 3 w 0 0 w E j 0 E k 0 E l w displaystyle P i omega 3 varepsilon 0 sum j 1 3 sum k 1 3 sum l 1 3 chi ijkl 3 omega 0 0 omega E j 0 E k 0 E l omega nbsp 在這公式裏 物理量右邊圓括號內的角頻率表示這物理量必須具有的角頻率數值 否則 整個乘積為零 第3階電極化率張量x 3 displaystyle boldsymbol chi 3 nbsp 有34 81個分量 假設介質為結構各向同性 註 1 則由於對稱性 只會有21 個非零分量 分為4種數值 x 1 x i i i i displaystyle chi 1 chi iiii nbsp x 2 x j j k k displaystyle chi 2 chi jjkk nbsp x 3 x j k j k displaystyle chi 3 chi jkjk nbsp x 4 x j k k j displaystyle chi 4 chi jkkj nbsp 其中 下標i displaystyle i nbsp j displaystyle j nbsp k displaystyle k nbsp 的數值可以是1 2或3 但是j k displaystyle j neq k nbsp 設想外電場E 0 displaystyle mathbf E 0 nbsp 的方向為y displaystyle hat y nbsp E 0 E 0 y displaystyle mathbf E 0 E 0 hat y nbsp 光波的的傳播方向為z displaystyle hat z nbsp 光波的電場為 E L E x x E y y cos k z w t displaystyle mathbf E L E x hat x E y hat y cos kz omega t nbsp 兩個電場合併為 E E 0 E L E 0 y E x x E y y cos k z w t displaystyle mathbf E E 0 mathbf E L mathbf E 0 hat y E x hat x E y hat y cos kz omega t nbsp 則所有涉及到z 坐標的分量都可以被忽略 將這電場代入第三項 可以得到電極化向量的第三項部分 其x 分量 y 分量分別為 4 80 P x 3 e 0 x x y y x E 0 E 0 E x 3 e 0 x 2 E 0 E 0 E L x displaystyle P x 3 varepsilon 0 chi xyyx E 0 E 0 E x 3 varepsilon 0 chi 2 E 0 E 0 E Lx nbsp P y 3 e 0 x y y y y E 0 E 0 E y 3 e 0 x 1 E 0 E 0 E L y displaystyle P y 3 varepsilon 0 chi yyyy E 0 E 0 E y 3 varepsilon 0 chi 1 E 0 E 0 E Ly nbsp 由於直流電場的作用 朝著x y兩個方向的電極化向量造成了折射率不同 因此產生雙折射現象 D n n n 3 e 0 x 2 x 1 E 0 E 0 2 n displaystyle Delta n n parallel n perp approx frac 3 varepsilon 0 chi 2 chi 1 E 0 E 0 2n nbsp 其中 n displaystyle n parallel nbsp n displaystyle n perp nbsp 是偏振光的偏振平面與直流電場分別平行 垂直時傳播於介質的折射率 n displaystyle n nbsp 是當沒有直流電場時傳播於介質的折射率 因此 可以將介質的克爾常數定義為 K d e f n n l 0 E 0 2 displaystyle K stackrel def frac n parallel n perp lambda 0 E 0 2 nbsp 其中 l 0 displaystyle lambda 0 nbsp 是光波傳播於自由空間的波長 交流克爾效應 编辑 在交流克爾效應裏 傳播於介質的光波 假若輻照度夠強勁 就可以自己提供調製電場 不需要施加外電場 對於這案例 假設偏振光的電場為 E E y cos w t y displaystyle mathbf E E y cos omega t hat y nbsp 其中 E y displaystyle mathbf E y nbsp 是光波的波幅 將這公式代入偏振方程式 只取線性項與第三項 可以得到 4 81 82 P y e 0 x 1 3 4 x 3 E y 2 E y cos w t displaystyle P y simeq varepsilon 0 left chi 1 frac 3 4 chi 3 E y 2 right E y cos omega t nbsp 這像是個線性項和額外的非線性項總和在一起的電極化率 x x L I N x N L x 1 3 x 3 4 E y 2 displaystyle chi chi mathrm LIN chi mathrm NL chi 1 frac 3 chi 3 4 E y 2 nbsp 由於折射率為 n 1 x 1 2 1 x L I N x N L 1 2 n 0 1 1 2 n 0 2 x N L displaystyle n 1 chi 1 2 left 1 chi mathrm LIN chi mathrm NL right 1 2 simeq n 0 left 1 frac 1 2 n 0 2 chi mathrm NL right nbsp 其中 n 0 1 x L I N 1 2 displaystyle n 0 1 chi mathrm LIN 1 2 nbsp 是線性折射率 由於x N L n 0 2 displaystyle chi mathrm NL ll n 0 2 nbsp 應用泰勒展開 可以得到與輻射度有關的折射率 n n 0 3 x 3 8 n 0 E y 2 n 0 n 2 I displaystyle n n 0 frac 3 chi 3 8n 0 E y 2 n 0 n 2 I nbsp 其中 n 2 displaystyle n 2 nbsp 是二次非線性折射率 I displaystyle I nbsp 是光波的輻照度 對於這光波傳播於介質的案例 折射率的變化與光波的輻照度成正比 大多數介質的n 2 displaystyle n 2 nbsp 相當微小 一般玻璃的n 2 displaystyle n 2 nbsp 大約為10 20 m2 W 1 4 83因此 光波的輻射度至少必須為1 GW cm 2才能使得折射率通過交流克爾效應產生顯著變化 與輻射度有關的折射率是一種非常重要的三次過程 又分為空間調製與時間調製兩種過程 空間調製過程可以改變光束的傳播 時間調製可以改變光波的波幅與相位結構 藉著空間調製折射率 傳播於介質的強勁光束會改變這介質的折射率 這改變的圖樣模仿光束的橫向輻照度圖樣 例如 高斯光束會造成高斯折射率剖面 類似漸變折射率透鏡 gradient index lens 所產生的效應 越接近光束的中間區域 折射率越高 越接近邊緣區域 折射率越低 由於介質折射率被改變 使得光束在介質內自動聚焦 這現象稱為自聚焦 self focus 由於光束的自聚焦 峰值輻照度會增加 因此又更加自聚焦 假若這效應贏過了對抗的衍射 則自聚焦會成為主導物理機制 光束會變得越來越狹窄 這時 假若操作不當 則會造成光束塌縮災難 從而損毀介質 自聚焦與衍射彼此對抗抵銷 這意味著 對於每一種介質 存在一個閾值 只要輻照度不超過這閾值 就不會發生損毀 但是 另一種稱為 小尺寸自聚焦 的現象 會造成局域熱點與光束絲狀形成 為了避免這類問題出現於激光系統 通常 會先使用空間過濾器將光束波前的粗燥部分加以平滑 4 83 84相關條目 编辑B積分註釋 编辑 注意到兩種不同的各向同性 一種是晶體的光學各向同性 另一種是氣體 液體 非晶體固體的結構各向同性參考文獻 编辑 Weinberger P John Kerr and his Effects Found in 1877 and 1878 PDF Philosophical Magazine Letters 2008 88 12 897 907 2014 05 20 Bibcode 2008PMagL 88 897W doi 10 1080 09500830802526604 原始内容存档 PDF 于2020 09 20 克尔效应与光开关 肖胜利 朱锋 郑好望 现代物理知识 2006年01期 Melnichuk Mike Wood Lowell T Direct Kerr electro optic effect in noncentrosymmetric materials Phys Rev A 2010 82 013821 Bibcode 2010PhRvA 82a3821M doi 10 1103 PhysRevA 82 013821 4 0 4 1 4 2 4 3 4 4 4 5 Geoffrey New Introduction to Nonlinear Optics Cambridge University Press ISBN 978 1 139 50076 0 取自 https zh wikipedia org w index php title 克爾效应 amp oldid 63312330, 维基百科,wiki,书籍,书籍,图书馆,

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