Rowhammer是一种对动态随机存取存储器（DRAM）攻击方法。这种攻击利用了DRAM在运行过程中产生的意外电荷泄漏效应，攻击会导致存储器单元泄露电荷并可能造成比特翻转，攻击存在的一个原因是现在DRAM存储单元的高密度排列造成的。一些高端芯片采用ECC(error-correcting code)技术来防止这个问题的发生，而一种称为ECCploit的攻击方法可以部分的绕过ECC保护机制[1]。
参考文献 - ^ Potentially disastrous Rowhammer bitflips can bypass ECC protections. Ars Technica. [2018-11-22]. （原始内容于2018-11-29） （美国英语）.
rowhammer, 是一种对动态随机存取存储器, dram, 攻击方法, 这种攻击利用了dram在运行过程中产生的意外电荷泄漏效应, 攻击会导致存储器单元泄露电荷并可能造成比特翻转, 攻击存在的一个原因是现在dram存储单元的高密度排列造成的, 一些高端芯片采用ecc, error, correcting, code, 技术来防止这个问题的发生, 而一种称为eccploit的攻击方法可以部分的绕过ecc保护机制, 参考文献, 编辑, potentially, disastrous, bitflips, bypas. Rowhammer是一种对动态随机存取存储器 DRAM 攻击方法 这种攻击利用了DRAM在运行过程中产生的意外电荷泄漏效应 攻击会导致存储器单元泄露电荷并可能造成比特翻转 攻击存在的一个原因是现在DRAM存储单元的高密度排列造成的 一些高端芯片采用ECC error correcting code 技术来防止这个问题的发生 而一种称为ECCploit的攻击方法可以部分的绕过ECC保护机制 1 参考文献 编辑 Potentially disastrous Rowhammer bitflips can bypass ECC protections Ars Technica 2018 11 22 原始内容存档于2018 11 29 美国英语 这是一篇與软件相關的小作品 你可以通过编辑或修订扩充其内容 查论编 取自 https zh wikipedia org w index php title Rowhammer amp oldid 70348981, 维基百科，wiki，书籍，书籍，图书馆，
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