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行進 31, 2023
v特性曲线, 电容电压特性曲线, 是用来测量半导体材料和器件的一种方法, 当所加电压改变时, 电容被测出, 方法是使用金属, 半导体结, 肖特基势垒, 或者pn结或者场效应管来得到耗尽层, 其中载流子被全部抽走, 但仍然有离子化的施主或晶体缺陷, 当电压改变时, 耗尽层深浅也发生变化, 目录, 应用, 金属, 氧化物, 半导体结构的c, v特性, 累積區, accumulation, region, 空乏區, depletion, region, 反轉區, inversion, region, 参考文献应用, 编辑. C V特性曲线 电容电压特性曲线 是用来测量半导体材料和器件的一种方法 当所加电压改变时 电容被测出 方法是使用金属 半导体结 肖特基势垒 或者PN结或者场效应管来得到耗尽层 其中载流子被全部抽走 但仍然有离子化的施主或晶体缺陷 当电压改变时 耗尽层深浅也发生变化 目录 1 应用 2 金属 氧化物 半导体结构的C V特性 2 1 累積區 Accumulation region 2 2 空乏區 Depletion region 2 3 反轉區 Inversion region 3 参考文献应用 编辑该测量方法可以得到关于半导体掺杂 晶体缺陷之类的特性 场效应管在不同栅极厚度下的C V特性曲线 金属 氧化物 半导体结构的C V特性 编辑金属 氧化物 半导体结构是MOSFET的一部分 用来控制晶体管沟道中势垒的高低 对于一个n通道MOSFET来说 该结构的工作特性可分为三个部分 分别与右图对应 累積區 Accumulation region 编辑 當施加 VGB lt 0 時 在n區域的表面會形成一個p通道 電洞濃度的增加意味著電容增加 如附圖C V曲線左側部分所示 空乏區 Depletion region 编辑 當一個小的正電壓VGB gt 0施加在閘極與基極端 如圖 時 價帶邊緣被推離費米能階 此時基體的電洞遠離閘極 電洞濃度減少 造成低載子濃度 此時電容變低 如C V曲線中間所示 反轉區 Inversion region 编辑 當VGB gt 0 且夠強時 接近閘極端的電子濃度會超過電洞 這個在p type半導體中 電子濃度 帶負電荷 超過電洞 帶正電荷 濃度的區域 便是所謂的反轉層 inversion layer 如C V曲线右侧所示 MOS電容的特性決定了金氧半場效電晶體的操作特性 但是一個完整的金氧半場效電晶體結構還需要一個提供多數載流子 majority carrier 的源極以及接受這些多數載子的汲極 参考文献 编辑J Hilibrand and R D Gold Determination of the Impurity Distribution in Junction Diodes From Capacitance Voltage Measurements RCA Review vol 21 p 245 June 1960 Alain C Diebold Editor 2001 Handbook of Silicon Semiconductor Metrology CRC Press pp 59 60 ISBN 0 8247 0506 8 E H Nicollian J R Brews 2002 MOS Metal Oxide Semiconductor Physics and Technology Wiley ISBN 0 471 43079 X Andrzej Jakubowski Henryk M Przewlocki 1991 Diagnostic Measurements in LSI VLSI Integrated Circuits Production World Scientific p 159 ISBN 981 02 0282 2 Sheng S Li and Sorin Cristoloveanu 1995 Electrical Characterization of Silicon On Insulator Materials and Devices Springer Chapter 6 p 163 ISBN 0 7923 9548 4 取自 https zh wikipedia org w index php title C V特性曲线 amp oldid 58059547, 维基百科，wiki，书籍，书籍，图书馆，
