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B·賈揚特·巴利加

B·賈揚特·巴利加(英語:B. Jayant Baliga,1948年4月28日[1]),印度電機工程師,專精於功率半導體元件,發明了絕緣柵雙極電晶體。為紀念電晶體發明50周年,科學美國人雜誌將其列為「八位半導體革命英雄」(Eight Heroes of the Semiconductor Revolution)之一[2]

B·賈揚特·巴利加
B. Jayant Baliga
出生 (1948-04-28) 1948年4月28日75歲)
 印度馬德拉斯
居住地 美國北卡羅來納州羅里
国籍 美國
公民权 美國
母校印度理工學院馬德拉斯校區英语Indian Institute of Technology Madras
壬色列理工學院
知名于絕緣柵雙極電晶體(IGBT)
奖项IEEE榮譽獎章(2014年)
科学生涯
研究领域功率半導體元件英语power semiconductor device
机构北卡羅來納州立大學

背景 编辑

巴利加出生在印度馬德拉斯[3],成長於印度班加羅爾附近的小村莊加拉哈立英语Jalahalli。父親是巴拉特電子有限公司(Bharat Electronics Limited)的前任負責人[4]。於1969年取得印度理工學院馬德拉斯校區英语Indian Institute of Technology Madras的學士學位,並分別於1971年及1974年取得壬色列理工學院的碩士與博士學位。

職業生涯 编辑

巴利加在紐約州斯克內克塔迪通用電氣公司研究發展中心工作達15年[5],後於1988年時擔任北卡羅來納州立大學全職教授。1997年時,獲選為傑出大學教授(Distinguished University Professor[4]。巴利加所發明的絕緣柵雙極電晶體,結合了電子工程及電機工程兩大科學領域。此項發明為消費者節省的金錢超過美金15兆,同時形成智能電網的基礎[4]。巴利加不僅工作於學術領域,同時也是三家利用半導體技術製造產品公司的創辦人[4]。且擁有的美國專利超過100項。2010年,獲美國總統歐巴馬頒贈代表美國工程師最高榮譽的美國國家技術與創新獎章英语National Medal of Technology and Innovation[6]。並於2014年因「功率半導體元件的發明、改良及商業化對社會的巨大貢獻」獲頒IEEE榮譽獎章[7]

榮譽 编辑

  • IEEE院士:1983年[8]
  • IEEE紐維爾獎英语IEEE William E. Newell Power Electronics Award:1991年
  • IEEE利布曼獎英语IEEE Morris N. Liebmann Memorial Award:1993年
  • IEEE埃伯斯獎英语J J Ebers Award:1998年
  • IEEE蘭梅獎章英语IEEE Lamme Medal:1999年[9]
  • 美國國家工程院院士:2000年
  • 歐洲科學院英语European Academy of Sciences院士:2005年
  • 美國國家科技與發明獎章英语National Medal of Technology and Innovation:2010年[4][6]
  • IEEE榮譽獎章:2014年[7]

相關條目 编辑

参考文献 编辑

  1. ^ John Edwards. B. Jayant Baliga: Designing The Insulated-Gate Bipolar Transistor. Electronic Design. Nov 22, 2010 [2014-05-15]. (原始内容于2014-05-17) (英语). 
  2. ^ Dr. Jayant Baliga. North Carolina State University. [2014-05-15]. (原始内容于2014-05-17) (英语). 
  3. ^ Designing The Insulated-Gate Bipolar Transistor. [2014-05-15]. (原始内容于2014-05-17) (英语). 
  4. ^ 4.0 4.1 4.2 4.3 4.4 Shishir Prasad. . Forbes India. Feb 27, 2012 [2014-05-15]. (原始内容存档于2014-05-18) (英语). 
  5. ^ . IEEE. [2014-05-16]. (原始内容存档于2014-05-17) (英语). 
  6. ^ 6.0 6.1 President Obama Honors Nation’s Top Scientists and Innovators (页面存档备份,存于互联网档案馆), September 27, 2011, The White House, Office of the Press Secretary, whitehouse.gov
  7. ^ 7.0 7.1 . IEEE. [2014-02-14]. (原始内容存档于2014-02-24). 
  8. ^ . IEEE. [2012-01-25]. (原始内容存档于2011-06-29). 
  9. ^ IEEE Lamme Medal Recipients (PDF). IEEE. [2012-01-25]. (原始内容 (PDF)于2014-02-24). 

外部連結 编辑

  • (英文)NCSU biography(页面存档备份,存于互联网档案馆
  • (英文)ApnaTriangle.com interview with Dr Jayant Baliga(页面存档备份,存于互联网档案馆
獎項
前任者:
厄文·馬克·雅各布
IEEE榮譽獎章
2014
現任

賈揚特, 巴利加, 英語, jayant, baliga, 1948年4月28日, 印度電機工程師, 專精於功率半導體元件, 發明了絕緣柵雙極電晶體, 為紀念電晶體發明50周年, 科學美國人雜誌將其列為, 八位半導體革命英雄, eight, heroes, semiconductor, revolution, 之一, jayant, baliga出生, 1948, 1948年4月28日, 75歲, 印度馬德拉斯居住地, 美國北卡羅來納州羅里国籍, 美國公民权, 美國母校印度理工學院馬德拉斯校區, 英语, india. B 賈揚特 巴利加 英語 B Jayant Baliga 1948年4月28日 1 印度電機工程師 專精於功率半導體元件 發明了絕緣柵雙極電晶體 為紀念電晶體發明50周年 科學美國人雜誌將其列為 八位半導體革命英雄 Eight Heroes of the Semiconductor Revolution 之一 2 B 賈揚特 巴利加B Jayant Baliga出生 1948 04 28 1948年4月28日 75歲 印度馬德拉斯居住地 美國北卡羅來納州羅里国籍 美國公民权 美國母校印度理工學院馬德拉斯校區 英语 Indian Institute of Technology Madras 壬色列理工學院知名于絕緣柵雙極電晶體 IGBT 奖项IEEE榮譽獎章 2014年 科学生涯研究领域功率半導體元件 英语 power semiconductor device 机构北卡羅來納州立大學 目录 1 背景 2 職業生涯 3 榮譽 4 相關條目 5 参考文献 6 外部連結背景 编辑巴利加出生在印度馬德拉斯 3 成長於印度班加羅爾附近的小村莊加拉哈立 英语 Jalahalli 父親是巴拉特電子有限公司 Bharat Electronics Limited 的前任負責人 4 於1969年取得印度理工學院馬德拉斯校區 英语 Indian Institute of Technology Madras 的學士學位 並分別於1971年及1974年取得壬色列理工學院的碩士與博士學位 職業生涯 编辑巴利加在紐約州斯克內克塔迪通用電氣公司研究發展中心工作達15年 5 後於1988年時擔任北卡羅來納州立大學全職教授 1997年時 獲選為傑出大學教授 Distinguished University Professor 4 巴利加所發明的絕緣柵雙極電晶體 結合了電子工程及電機工程兩大科學領域 此項發明為消費者節省的金錢超過美金15兆 同時形成智能電網的基礎 4 巴利加不僅工作於學術領域 同時也是三家利用半導體技術製造產品公司的創辦人 4 且擁有的美國專利超過100項 2010年 獲美國總統歐巴馬頒贈代表美國工程師最高榮譽的美國國家技術與創新獎章 英语 National Medal of Technology and Innovation 6 並於2014年因 功率半導體元件的發明 改良及商業化對社會的巨大貢獻 獲頒IEEE榮譽獎章 7 榮譽 编辑IEEE院士 1983年 8 IEEE紐維爾獎 英语 IEEE William E Newell Power Electronics Award 1991年 IEEE利布曼獎 英语 IEEE Morris N Liebmann Memorial Award 1993年 IEEE埃伯斯獎 英语 J J Ebers Award 1998年 IEEE蘭梅獎章 英语 IEEE Lamme Medal 1999年 9 美國國家工程院院士 2000年 歐洲科學院 英语 European Academy of Sciences 院士 2005年 美國國家科技與發明獎章 英语 National Medal of Technology and Innovation 2010年 4 6 IEEE榮譽獎章 2014年 7 相關條目 编辑絕緣柵雙極電晶體 IGBT 功率半導體元件 英语 power semiconductor device 功率金屬氧化物半導體場效電晶體参考文献 编辑 John Edwards B Jayant Baliga Designing The Insulated Gate Bipolar Transistor Electronic Design Nov 22 2010 2014 05 15 原始内容存档于2014 05 17 英语 Dr Jayant Baliga North Carolina State University 2014 05 15 原始内容存档于2014 05 17 英语 Designing The Insulated Gate Bipolar Transistor 2014 05 15 原始内容存档于2014 05 17 英语 4 0 4 1 4 2 4 3 4 4 Shishir Prasad Jayant Baliga s invention is a power saver Forbes India Feb 27 2012 2014 05 15 原始内容存档于2014 05 18 英语 B Jayant Baliga IEEE 2014 05 16 原始内容存档于2014 05 17 英语 6 0 6 1 President Obama Honors Nation s Top Scientists and Innovators 页面存档备份 存于互联网档案馆 September 27 2011 The White House Office of the Press Secretary whitehouse gov 7 0 7 1 IEEE 2014 Medals and Awards Recipients IEEE 2014 02 14 原始内容存档于2014 02 24 Fellow Class of 1983 IEEE 2012 01 25 原始内容存档于2011 06 29 IEEE Lamme Medal Recipients PDF IEEE 2012 01 25 原始内容存档 PDF 于2014 02 24 外部連結 编辑 英文 NCSU biography 页面存档备份 存于互联网档案馆 英文 ApnaTriangle com interview with Dr Jayant Baliga 页面存档备份 存于互联网档案馆 獎項前任者 厄文 馬克 雅各布 IEEE榮譽獎章2014 現任 取自 https zh wikipedia org w index php title B 賈揚特 巴利加 amp oldid 78239959, 维基百科,wiki,书籍,书籍,图书馆,

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