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金屬氧化物半導體電容器
金屬氧化物半導體電容器（英語：Metal-Oxide-Semiconductor capacitor，缩写：MOS capacitor）為金屬氧化物半導體電晶體中的一個特例，當後者只有採用三端(G、B、D)中的兩端(G、B或G、D)便會當成前者之用。
金屬氧化物半導體電容器, 此條目已列出參考文獻, 但因為沒有文內引註而使來源仍然不明, 2020年3月31日, 请加上合适的文內引註来改善这篇条目, 英語, metal, oxide, semiconductor, capacitor, 缩写, capacitor, 為金屬氧化物半導體電晶體中的一個特例, 當後者只有採用三端, 中的兩端, b或g, 便會當成前者之用, 来源, 编辑https, ecee, colorado, bart, book, book, chapter6, 页面存档备份, 存于互联网档案馆,. 此條目已列出參考文獻 但因為沒有文內引註而使來源仍然不明 2020年3月31日 请加上合适的文內引註来改善这篇条目 金屬氧化物半導體電容器 英語 Metal Oxide Semiconductor capacitor 缩写 MOS capacitor 為金屬氧化物半導體電晶體中的一個特例 當後者只有採用三端 G B D 中的兩端 G B或G D 便會當成前者之用 来源 编辑https ecee colorado edu bart book book chapter6 ch6 2 htm 页面存档备份 存于互联网档案馆 取自 https zh wikipedia org w index php title 金屬氧化物半導體電容器 amp oldid 75221552, 维基百科，wiki，书籍，书籍，图书馆，