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局部态密度, local, density, states, ldos, 是指在实空间分布的态密度, 它可以通过扫描隧道显微镜得到, 也可以在已知晶体结构和材料特性的情况下, 通过计算机仿真得到, 比如密度泛函理论, mosfet中通过计算机仿真实空间分布的态密度, 当漏级偏压为0, 6v时, 随着栅极电压增高, 沟道中密度增加, 晶体管开通, 固体电子器件中的, ldos, 编辑, ldos可以用来分析器件具体工作原理, 比如, 右图是一个金属氧化物半导体场效应晶体管, mosfet, 中的ldos随着晶体管开通. 局部态密度 Local density of states LDOS 是指在实空间分布的态密度 它可以通过扫描隧道显微镜得到 也可以在已知晶体结构和材料特性的情况下 通过计算机仿真得到 比如密度泛函理论 MOSFET中通过计算机仿真实空间分布的态密度 当漏级偏压为0 6V时 随着栅极电压增高 沟道中密度增加 晶体管开通 固体电子器件中的局部态密度 LDOS 编辑 LDOS可以用来分析器件具体工作原理 比如 右图是一个金属氧化物半导体场效应晶体管 MOSFET 中的LDOS随着晶体管开通和关闭的变化 该图通过计算机仿真得到 源极和漏极中清晰可见导带和禁带的分界线 以及束缚能级 在中间的沟道 随着栅极电压增加 势垒高度下降 密度增加 晶体管开通 外部链接 编辑Scientists shed light on glowing materials Photonic LDOS 这是一篇與科学相關的小作品 你可以通过编辑或修订扩充其内容 查论编 取自 https zh wikipedia org w index php title 局部态密度 amp oldid 71936173, 维基百科，wiki，书籍，书籍，图书馆，