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小注入（英語：low level injection）是形成PN结的一种工作条件。在N型半导体中，当注入半导体材料的非平衡电子（通过光照注入、电注入等方法引入的两种载流子——电子、空穴总是成对出现）的浓度小于平衡时导带中电子的浓度时，我们称这种方法为小注入。对于P型半导体，则需要比较非平衡空穴与平衡时的空穴的浓度。在小注入的情况下，多数载流子的复合率为线性。[1]
参考文献 - ^ Jenny Nelson, The Physics of Solar Cells, Imperial College Press, UK, 2007 pp. 266-267
小注入, 此條目需要精通或熟悉相关主题的编者参与及协助编辑, 2015年12月14日, 請邀請適合的人士改善本条目, 更多的細節與詳情請參见討論頁, 英語, level, injection, 是形成pn结的一种工作条件, 在n型半导体中, 当注入半导体材料的非平衡电子, 通过光照注入, 电注入等方法引入的两种载流子, 电子, 空穴总是成对出现, 的浓度小于平衡时导带中电子的浓度时, 我们称这种方法为, 对于p型半导体, 则需要比较非平衡空穴与平衡时的空穴的浓度, 在的情况下, 多数载流子的复合率为线性, 参考文献. 此條目需要精通或熟悉相关主题的编者参与及协助编辑 2015年12月14日 請邀請適合的人士改善本条目 更多的細節與詳情請參见討論頁 小注入 英語 low level injection 是形成PN结的一种工作条件 在N型半导体中 当注入半导体材料的非平衡电子 通过光照注入 电注入等方法引入的两种载流子 电子 空穴总是成对出现 的浓度小于平衡时导带中电子的浓度时 我们称这种方法为小注入 对于P型半导体 则需要比较非平衡空穴与平衡时的空穴的浓度 在小注入的情况下 多数载流子的复合率为线性 1 参考文献 编辑 Jenny Nelson The Physics of Solar Cells Imperial College Press UK 2007 pp 266 267 取自 https zh wikipedia org w index php title 小注入 amp oldid 38344607, 维基百科，wiki，书籍，书籍，图书馆，
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