fbpx
维基百科

單接合面電晶體

單接合面電晶體 (Unijunction Transistor, 簡稱 UJT ),台湾称单接合面电晶体,是一種只具有一個 PN 接面的三端子半導體元件,三個端子分別是射極 (E)、基極一 (B1)、與基極二 (B2)。

單接合面電晶體 2N4870 2N2646
UJT 的構造示意圖

構造與工作原理 编辑

單接合面電晶體的基極通常是由棒狀的、輕摻雜的 N 型矽質半導體構成,兩端分別以歐姆接觸連出 B1、B2 兩基極端子。射極則是由重摻雜的 P 型矽質半導體構成。當射極開路時,兩基極 B1、B2 間的電阻值稱為「基極間電阻」。

工作時兩基極給與偏壓,當射極的電壓高於射極所在的基極分壓點上的電壓加二極體的導通電壓時,射極開始導通,由於基極只有輕摻雜,導通後對基極區域產生的調制作用,使電阻下降,而更有利於導通,因而產生負電阻效應。

 
UJT 的電路符號

類別 编辑

  • 原始的單接合面電晶體 (UJT)
UJT 的代表性型號有 2N2646 與東芝的 2SH21
  • 可程式化單接合面電晶體 (Programmable Unijunction Transistor, 簡稱 PUT)
PUT 的內部構造其實是一種具有四層半導體的閘流體,與 UJT 並不一樣,只是具有類似的功能。 PUT 的三個端子是陽極 (Anode, A)、陰極 (Cathode, K)、與閘極 (Gate, G)。 當陽極的電壓超過閘極時發生導通,因此,藉由改變閘極的電壓,可以改變陽極的觸發電壓。
PUT 的代表性型號有 2N6027 與日本 NEC 的 N13T-1 (GE 的 D13T-1)

用途 编辑

在1960年代至1970年代,單接合面電晶體在業餘愛好者的電子電路中很普遍,因為它可以用很簡單的線路,只用一顆主動元件就作成弛張振盪器(例如方波振盪器)。但自從積體電路的使用逐漸普及後,更多的應用轉而使用 555 定時器 IC。

除了作弛張振盪器之外,UJT 與 PUT 的另一主要用途是作為閘流體的觸發控制。

在日本舊有的標準半導體編號中[1],原配予單接合面電晶體所使用的 2SH 字頭,已改配予 N 通道 IGBT 使用[2]。 2SH 編號的 UJT、PUT 在日本廠商中實已成廢棄品類。

參見 编辑

外部連結 编辑

  • (在 American Microsemiconductor 的網站,英文)

參考資料與附註 编辑

  1. ^ 日本工業標準 JIS-C-7012 個別半導体デバイスの形名 (页面存档备份,存于互联网档案馆),最後修訂版於1982年,1993年廢止。
  2. ^ JEITA / EIAJ ED-4001A 個別半導体デバイスの形名 (页面存档备份,存于互联网档案馆) (Type designation system for discrete semiconductor devices), 1993 年制定, 2005 年修訂, 一般社団法人 電子情報技術産業協会(JEITA: Japan Electronics and Information Technology Industries Association)發行。 又註:JEITA 的前身是 EIAJ 日本電子機械工業会。

單接合面電晶體, 此條目可参照英語維基百科相應條目来扩充, 2019年8月30日, 若您熟悉来源语言和主题, 请协助参考外语维基百科扩充条目, 请勿直接提交机械翻译, 也不要翻译不可靠, 低品质内容, 依版权协议, 译文需在编辑摘要注明来源, 或于讨论页顶部标记, href, template, translated, page, html, title, template, translated, page, translated, page, 标签, 此條目需要补充更多来源, 2019年8月30日, 请协助補充. 此條目可参照英語維基百科相應條目来扩充 2019年8月30日 若您熟悉来源语言和主题 请协助参考外语维基百科扩充条目 请勿直接提交机械翻译 也不要翻译不可靠 低品质内容 依版权协议 译文需在编辑摘要注明来源 或于讨论页顶部标记 a href Template Translated page html title Template Translated page Translated page a 标签 此條目需要补充更多来源 2019年8月30日 请协助補充多方面可靠来源以改善这篇条目 无法查证的内容可能會因為异议提出而被移除 致使用者 请搜索一下条目的标题 来源搜索 單接合面電晶體 网页 新闻 书籍 学术 图像 以检查网络上是否存在该主题的更多可靠来源 判定指引 單接合面電晶體 Unijunction Transistor 簡稱 UJT 台湾称单接合面电晶体 是一種只具有一個 PN 接面的三端子半導體元件 三個端子分別是射極 E 基極一 B1 與基極二 B2 單接合面電晶體 2N4870 2N2646 UJT 的構造示意圖 目录 1 構造與工作原理 2 類別 3 用途 4 參見 5 外部連結 6 參考資料與附註構造與工作原理 编辑單接合面電晶體的基極通常是由棒狀的 輕摻雜的 N 型矽質半導體構成 兩端分別以歐姆接觸連出 B1 B2 兩基極端子 射極則是由重摻雜的 P 型矽質半導體構成 當射極開路時 兩基極 B1 B2 間的電阻值稱為 基極間電阻 工作時兩基極給與偏壓 當射極的電壓高於射極所在的基極分壓點上的電壓加二極體的導通電壓時 射極開始導通 由於基極只有輕摻雜 導通後對基極區域產生的調制作用 使電阻下降 而更有利於導通 因而產生負電阻效應 nbsp UJT 的電路符號類別 编辑原始的單接合面電晶體 UJT UJT 的代表性型號有 2N2646 與東芝的 2SH21 可程式化單接合面電晶體 Programmable Unijunction Transistor 簡稱 PUT PUT 的內部構造其實是一種具有四層半導體的閘流體 與 UJT 並不一樣 只是具有類似的功能 PUT 的三個端子是陽極 Anode A 陰極 Cathode K 與閘極 Gate G 當陽極的電壓超過閘極時發生導通 因此 藉由改變閘極的電壓 可以改變陽極的觸發電壓 PUT 的代表性型號有 2N6027 與日本 NEC 的 N13T 1 GE 的 D13T 1 用途 编辑在1960年代至1970年代 單接合面電晶體在業餘愛好者的電子電路中很普遍 因為它可以用很簡單的線路 只用一顆主動元件就作成弛張振盪器 例如方波振盪器 但自從積體電路的使用逐漸普及後 更多的應用轉而使用 555 定時器 IC 除了作弛張振盪器之外 UJT 與 PUT 的另一主要用途是作為閘流體的觸發控制 在日本舊有的標準半導體編號中 1 原配予單接合面電晶體所使用的 2SH 字頭 已改配予 N 通道 IGBT 使用 2 2SH 編號的 UJT PUT 在日本廠商中實已成廢棄品類 參見 编辑電晶體外部連結 编辑UJT 與 PUT 的說明與幾種常見型號的特性摘要 在 American Microsemiconductor 的網站 英文 參考資料與附註 编辑 日本工業標準 JIS C 7012 個別半導体デバイスの形名 页面存档备份 存于互联网档案馆 最後修訂版於1982年 1993年廢止 JEITA EIAJ ED 4001A 個別半導体デバイスの形名 页面存档备份 存于互联网档案馆 Type designation system for discrete semiconductor devices 1993 年制定 2005 年修訂 一般社団法人 電子情報技術産業協会 JEITA Japan Electronics and Information Technology Industries Association 發行 又註 JEITA 的前身是 EIAJ 日本電子機械工業会 取自 https zh wikipedia org w index php title 單接合面電晶體 amp oldid 63778588, 维基百科,wiki,书籍,书籍,图书馆,

文章

,阅读,下载,免费,免费下载,mp3,视频,mp4,3gp, jpg,jpeg,gif,png,图片,音乐,歌曲,电影,书籍,游戏,游戏。