光登伯效应（英语：photo-Dember effect)，半导体受飞秒激光激发后，发出带电的电磁輻射，这是由于极快电子-空穴对在很强载流子梯度而造成的。同时，由于电子和空穴的迁移率不同，破坏了表面的对称性，半导体表面附近形成垂直表面的电偶极矩（正极在下，负极在上）。这种效应，称为光登伯效应。它是美国物理学家亨利·登伯于1931年发现的[1]。
光登伯效应的主要应用之一是用来产生太赫兹脉冲輻射或太赫兹时间范畴谱仪。大多数半导体都具有光登伯效应，但在狭带隙半导体，如InAs 和InSb ，它们具有较高的电子迁移率，而光登伯效应较强。
近来已有人能做出与激化面平行的极化面光登伯效应[2]。
参考文献 - ^ H.Dember(1931)"Photoelectric E.M.E.in Cuprous-oxide cryslals"Phys. Zeits 32:554
- ^ G.Klatt,et al."Terahertz emission from lateral photo-Dember currents" Optics Express,vol.18 ISSUSE 5 PP.4939-4947(2010)
光登伯效应, 英语, photo, dember, effect, 半导体受飞秒激光激发后, 发出带电的电磁輻射, 这是由于极快电子, 空穴对在很强载流子梯度而造成的, 同时, 由于电子和空穴的迁移率不同, 破坏了表面的对称性, 半导体表面附近形成垂直表面的电偶极矩, 正极在下, 负极在上, 这种效应, 称为, 它是美国物理学家亨利, 登伯, 英语, harry, dember, 于1931年发现的, 的主要应用之一是用来产生太赫兹脉冲輻射或太赫兹时间范畴谱仪, 大多数半导体都具有, 但在狭带隙半导体, 如inas. 光登伯效应 英语 photo Dember effect 半导体受飞秒激光激发后 发出带电的电磁輻射 这是由于极快电子 空穴对在很强载流子梯度而造成的 同时 由于电子和空穴的迁移率不同 破坏了表面的对称性 半导体表面附近形成垂直表面的电偶极矩 正极在下 负极在上 这种效应 称为光登伯效应 它是美国物理学家亨利 登伯 英语 Harry Dember 于1931年发现的 1 光登伯效应的主要应用之一是用来产生太赫兹脉冲輻射或太赫兹时间范畴谱仪 大多数半导体都具有光登伯效应 但在狭带隙半导体 如InAs 和InSb 它们具有较高的电子迁移率 而光登伯效应较强 近来已有人能做出与激化面平行的极化面光登伯效应 2 参考文献 编辑 H Dember 1931 Photoelectric E M E in Cuprous oxide cryslals Phys Zeits 32 554 G Klatt et al Terahertz emission from lateral photo Dember currents Optics Express vol 18 ISSUSE 5 PP 4939 4947 2010 取自 https zh wikipedia org w index php title 光登伯效应 amp oldid 42595912, 维基百科，wiki，书籍，书籍，图书馆，
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