亚阈值电流

十月 21, 2023

亚阈值电流，或称亚阈值漏电流（英語：subthreshold leakage），是金屬氧化物半導體場效電晶體栅极电压低于晶体管线性导通所需的阈值电压、处于截止区（或称亚阈值状态）时，源极和漏极之间的微量漏电流。^[1]

参考文献编辑

^ Yannis Tsividis. Operation and Modeling of the MOS Transistor Second Edition. New York: McGraw-Hill. 1999: 99 [2013-08-18]. ISBN 0-07-065523-5. （原始内容于2009-04-22）.

十月 21, 2023

亚阈值电流, 或称亚阈值漏电流, 英語, subthreshold, leakage, 是金屬氧化物半導體場效電晶體栅极电压低于晶体管线性导通所需的阈值电压, 处于截止区, 或称亚阈值状态, 源极和漏极之间的微量漏电流, 参考文献, 编辑, yannis, tsividis, operation, modeling, transistor, second, edition, york, mcgraw, hill, 1999, 2013, isbn, 065523, 原始内容存档于2009, 引文格式1维护, 冗余文. 亚阈值电流或称亚阈值漏电流英語 subthreshold leakage 是金屬氧化物半導體場效電晶體栅极电压低于晶体管线性导通所需的阈值电压处于截止区或称亚阈值状态时源极和漏极之间的微量漏电流 1 参考文献编辑 Yannis Tsividis Operation and Modeling of the MOS Transistor Second Edition New York McGraw Hill 1999 99 2013 08 18 ISBN 0 07 065523 5 原始内容存档于2009 04 22 引文格式1维护冗余文本 link 取自 https zh wikipedia org w index php title 亚阈值电流 amp oldid 62035555, 维基百科，wiki，书籍，书籍，图书馆，

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